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时间:2019-06-28
《电子行业:内存接口芯片行业科创板公司,澜起科技》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、有关分析师的申明,见本报告最后部分。其他重要信息披露见分目录内存接口芯片是CPU存取内存数据的必由通路4内存接口芯片市场规模有望稳步增长,竞争格局稳定7投资建议12风险提示12第18页共18页有关分析师的申明,见本报告最后部分。其他重要信息披露见分图表目录图1:内存接口芯片是CPU存取内存数据的必由通路4图2:内存接口芯片封装在内存条中,用于数据中心等领域4图3:DDR2时代1个内存模组中使用1个AMB芯片4图4:DDR3时代1个内存模组使用1个缓冲器芯片(RCD/MB)5图5:DDR4时代一个内存模组使用9个DB+1个RCD6图6:美光将于2019年开始量产DDR5D
2、RAM6图7:DDR5时代一个内存模组使用10个DB+1个RCD6图12:从DDR2-DDR5,单个内存模组使用的内存接口芯片数量不断增加7图13:从DDR3-DDR5,内存模组容量和价值量不断增加7图14:全球内存接口芯片市场规模(亿美元)8图15:18-20年中国X86服务器出货量将持续增长(台)8图8:Intel在全球服务器CPU的市占率高达95%9图9:全球DRAM市场被前三家垄断9图10:内存接口芯片市场集中度高9图11:澜起科技采用fabless模式9图16:澜起发展历程10图17:澜起科技内存接口产品覆盖DDR2-DDR511图18:澜起科技营收构成情况1
3、1第18页共18页有关分析师的申明,见本报告最后部分。其他重要信息披露见分内存接口芯片是CPU存取内存数据的必由通路内存接口芯片是内存模组(又称内存条)的核心器件,是CPU存取内存数据的必由通路,作用主要是提升内存数据访问的速度和稳定性,以匹配CPU日益提高的运行速度和性能。内存接口芯片按功能可分为寄存缓冲器(RCD)、数据缓冲器(DB)和内存缓冲器(MB)三类。其中,RCD用于存储缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号,作用是进行数据传输的控制和分配,DB用于存储来自内存控制器或内存的数据信号,MB同时具备RCD和DB功能,可由单颗芯片(高级内存缓冲器AMB或MB)
4、实现,也可由RCD和DB套片实现。搭载不同数量RCD、DB和MB构成了不同内存接口协议(DDR)标准下的DRAM模组。图1:内存接口芯片是CPU存取内存数据的必由通路图2:内存接口芯片封装在内存条中,用于数据中心等领域数据来源:电子技术设计、数据来源:互联网、根据JEDEC(固态技术协会)标准,内存接口芯片依次走过了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5时代,性能逐渐提高。DDR2即第2代双倍速率SDRAM内存标准,早在1998年开始研究,在2003年通过LEDEC规格标准化,2006年开始普及。DDR2在时钟上升或下降沿同时进行数据传输,支持4位数据内存预读取能力。在
5、DDR2时代,AMB(高级内存缓冲器)是FBDIMM(全缓冲双直插内存模组)架构的关键芯片。FBDIMM的意义在于通过高速、串行和点对点接口与内存控制器和其他FBDIMM通信,有效解决了传统并行内存架构存在的速度与容量难以兼顾的问题,带来服务器和高性能计算机性能的飞跃,但AMB功耗高的问题。DDR2时代1个内存模组中使用1个AMB芯片。第18页共18页图3:DDR2时代1个内存模组中使用1个AMB芯片第18页共18页数据来源:澜起科技官网、DDR3即第3代双倍速率SDRAM内存标准,于2002年开始开发,2009年底三星正式推出当时全球单颗密度最大的DDR3芯片,标志着
6、行业进入DDR3时代。与DDR2相比,DDR3支持8位数据内存预读取能力,即内存预读取能力提高了两倍,且使用电压更低,更为节能。DDR3时代1个内存模组使用1个缓冲器芯片(RCD/MB)。图4:DDR3时代1个内存模组使用1个缓冲器芯片(RCD/MB)第18页共18页数据来源:澜起科技官网、有关分析师的申明,见本报告最后部分。其他重要信息披露见分DDR4即第4代双倍速率SDRAM内存标准,于2014年年底2015年年初推出。与DDR3和DDR2相比,DDR4的传输速率和数据可靠性进一步提升,可实现8n-bit内存预读取,最高可实现32位,且采用1.2V工作电压,更为节能
7、。DDR4时代一个内存模组使用9个DB+1个RCD。第18页共18页有关分析师的申明,见本报告最后部分。其他重要信息披露见分图5:DDR4时代一个内存模组使用9个DB+1个RCD数据来源:澜起科技官网、DDR5即第五代双倍速率SDRAM内存标准,美光预计将于2019年推出。与DDR4相比,DDR5工作电压更低(1.1V),且传输有效性和可靠性再次得以提升,可轻松实现4800MT/s的高运行速率,是DDR4最高速率的1.5倍。DDR5将满足高端云计算和高速存储的需求。DDR5时代一个内存模组使用10个DB+1个RCD。图6:美光将于2019
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