电针抗局灶性脑缺血损伤的机制--TrkA对NMDA表达的调节作用

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1、华中科技大学硕士学位论文电针抗局灶性脑缺血损伤的机制——TrkA对NMDA表达的调节作用姓名：杨珺申请学位级别：硕士专业：中西医结合基础指导教师：关新民;施静2003.4.1兰生型垫奎兰旦鎏堕堂堕—堡主兰些!!墨中文摘要／、(脑缺血后的神经细胞损伤是多因素综合作用的结果。过去二十几年的研究色羟发现了导致缺血神经元退行性变的一系列重要因素。缺血缺氧后细胞内ATP骤减，损害膜上转运Na+、Ca2+的ATP依赖性离子泵，导致膜去极化，进而引起突触前兴奋性递质(谷氨酸和天门冬氨酸)释放和突触后谷氨酸受体的活

2、化。细胞外谷氨酸的过度堆积进一步活化了谷氨酸受体，开启NMDA受体和电压依赖性ca2+通道，c2+大量内流，造成细胞内外离子平衡失调，细胞间液中水也随之进入细胞引起细胞毒性脑水肿。同时能量衰竭和Ca2+内环境紊乱引起线粒体受损。脑缺血和再灌过程的各个环节都可能产生自由基，自由基的产生主要来自于线粒体功能紊乱，CE+超载以及一些酶(环氧化酶和一氧化氮合酶)的活化。自由基损害细胞蛋白、DNA活性和细胞膜功能。自由基作用于细胞膜生成有细胞毒性作用的脂质过氧化物，他们又可以分解形成更多的自由基，形成链索反应

3、，加速细胞膜的破坏，促使细胞崩溃、死亡。因此，临床上常采用多种不同的药物，如Ca2+拮抗剂，谷氨酸受体拮抗剂和自由基清除剂来治疗脑缺血，但是到目前为止这些药物并非特别、／有效，因此我们不得不寻求其他治疗方案。jr针刺治疗脑缺血及其后遗症是中医临床二匕行之有效的方法之一，但其机制仍在探索之中。本课题组前期研究表明，电针可明显缓解脑缺血再灌注损伤引起的神经缺损体征、抑制神经元凋亡、缩小梗塞灶范围，其分子机制可能与阻止谷氨酸的兴奋性毒性作用，促进TrkA的表达及抑制iNOS的活性等内源性促凋亡因素有关。本

4、文将在上述研究基础之上，以大脑中动脉阻塞(MCAO)30min，再灌注24h的大鼠为脑缺血模型，利用神经药理方法和NMDARlmRNA原位杂交技术探讨谷氨酸受体NMDARl和神经生长因子受体TrkA在电针抗脑缺血损伤中的调节关系以及下游的信号转导途径。为临床针刺治疗缺血性脑血管病提供可能的实验依据。兰±整垫奎兰旦堑垦兰堕堡圭望些蔓!苎＼厂．～．电针对缺血再灌注后脑内NMDARlmRNA表达的影响利用原位杂交方法观察NMDARlmR．NA在脑缺血再灌注模型中的表达以及针刺对该表达的影响，以探讨电针抗脑

5、缺血再灌注损伤与NMDARlrIⅡ矾A的关系。结果发现：④单纯缺血组缺血侧海马和皮质内NMDARl删m～阳性神经元表达显著高于对照侧(P<0．05)，光镜下可见缺血侧海马和皮质内NMDARlmRNA神经元和对照组相比阳性产物表达增多，有统计学意义(P

6、>O．05)。结果表明：大鼠缺血再灌注神经元损伤与NMDARlrI讧ⅢA的过表达有关，电针对缺血再灌注损伤的保护作用途径之一是通过抑制NMDARlmRNA的过表达而实现。2．电针对脑缺血再灌注性神经元损害的保护效应可能是通过TrkA介导，下调NMDARlmI矾A的过表达而实现的用改良线栓法制备SD大鼠大脑中动脉(MCA)阻塞一一再灌注模型，应用原位杂交方法并配合神经药理实验侧脑室注射TrkA抗体，观察脑缺血再灌注损伤时以及电针处理后，NMDARlmRNA与TrkA间的关系。结果发现：侧脑室注射Trk

7、A抗体后，缺血侧海马NMDARlmRNA阳性面积及平均光密度与单纯缺血组及缺血+侧脑室注射人工脑脊液组相比上调(P<0．05)。而侧脑室注射TrkA抗体并缺血后辅以电针治疗，海马缺血侧NMDARlmR．NA与侧脑室注射Trl渔抗体加缺血组比较无统计学差异(P>0．05)。结果提示：电针通过下调NMDARl的过表达而实现其抗缺血损伤的效应可能是通过TrkA介导的。2堡主型垫盔堂旦堑垦兰堕!坠堂型!垒苎3．电针对大鼠缺血再灌注损伤海马PKC的影响本试验拟以PKC为指标，应用免疫组织化学方法观察脑缺血再灌

8、注损伤以及电针处理后，海马神经元PKC的改变。结果发现：缺血24h海马缺血侧PKC阳性面积明显小于对照侧(P<0．05)，尤以CAl区显著(P0．05)。结果表明：脑缺血再灌注损伤可能和膜PKC表达下调有关，电针对脑缺血再灌注损伤海马神经元PKC的表达无明显影响，提示电针抗脑缺血再灌注损伤的机制可能不是通过影响PKC