期末清华大学微电子MEMS 期末考题 王喆垚.docx

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1、发信人: Zero (如果云知道), 信区: Pretest 标  题: MEMS试题（王喆垚2009年6月19日10:38:21） 发信站: 自由空间 (Fri Jun 19 10:37:50 2009), 站内 1.用公式说明为什么硅的亚阻系数比Al大。 2.说明表面微加工和体加工的微陀螺在性能上有哪些优缺点。 3.时分复用DRIE刻蚀的深槽与表面夹角85°，问怎样调节能使角度调节为90°。 4.写出可变间距和可变面积电容式传感器的灵敏度。并简述电容式传感器和压阻式传感器的优缺点。 5.平板电容器固定电压V，长宽和极板间距均减小一个数量级，问静电力怎样变化。 6.课本P496

2、：微针的加工过程。为什么侧面一面是倾斜的，而周围是垂直的。 7.课本P123：铰链的加工过程。 8.梳状差值电容，上下极板固定，分别加+V和-V的电压。中间极板垂直无位移，水平可动。已知极板的长宽L、W、中央极板厚t、上极板与中央极板间距g1、下极板与中央极板间距g0.求中央极板受到的静电力。（估计是用能量求导的方法。。注意是估计。。） 9.平行板静电执行器，上下极板分别由4个悬臂梁支撑。加电压V。上面的悬臂梁尺寸L1、W1、H1；下面的悬臂梁尺寸L2、W2、H2，极板初始间距g0、面积A.求临界电压。（电容在位移过程中保持水平，不会被击穿）（可以看成两个弹簧并联）发信人: xyz

3、what (what?), 信区: Pretest 标  题: MEMS与微系统  王喆垚  2006.6.16 发信站: 自由空间 (Fri Jun 16 17:09:51 2006), 站内 1，解释时分复用DRIE的RIE-lag现象，说明贝壳状侧壁的原因 2，表面微加工工艺的主要步骤，粘连的原因 3，小强从10米摔下来为什么没事 4，传感器的五种敏感原理 5，音叉制作过程 6，知道Si、SiO2体积比，525um厚的Si，氧化一层2umSiO2，求此时总厚度 7，KOH刻蚀的题 8，给出胫骨直径、长度、弹性模量、最大应力，人的体重，求a，人站立时的应力应变，b，身高减小多

4、少，c，最大体重 9，计算一块平行板电容的下拉电压 10，已知上极板的长宽厚，下极板固定，求并联开关的下拉电压 王老师还是很厚道的，虽然考试前大家感觉很恐怖发信人: hahaha (wahaha), 信区: Pretest 标  题: Re: MEMS与微系统  王喆垚  2006.6.16 发信站: 自由空间 (Fri Jun 16 17:34:53 2006), 站内 第五题ms是麦克风的制作过程。 8，D＝2.5cm L=80cm  E=17GPa M=50Kg 最大应力＝170MPa 第10题是并联开关 ，双端固支梁，不是 并联 电阻吧 ？ 【 在 xyzwhat (w

5、hat?) 的大作中提到: 】 : 1，解释时分复用DRIE的RIE-lag现象，说明贝壳状侧壁的原因 : 2，表面微加工工艺的主要步骤，粘连的原因 : 3，小强从10米摔下来为什么没事 : 4，传感器的五种敏感原理 : 5，音叉制作过程 : 6，知道Si、SiO2体积比，525um厚的Si，氧化一层2umSiO2，求此时总厚度 : 7，KOH刻蚀的题 : 8，给出胫骨直径、长度、弹性模量、最大应力，人的体重，求a，人站立时的应力应变，b，身高减小多少，c，最大体重 : 9，计算一块平行板电容的下拉电压 : 10，已知上极板的长宽厚，下极板固定，求并联电阻的下拉电压