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1、清华大学半导体器件张莉期末考题发信人:smallsheep(finalexamination),信区:Pretest标题:微电子器件2005.6.20【张莉】发信站:自由空间(MonJun2010:27:102005),站内填空：一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系）二.bjtA和bjtB。一个集电极是N－，一个集电极是N＋问：哪个饱和压降大___，那个early电压大___那个容易电流集边___.哪个容易穿通电压大_____哪个容易击穿BVCBO.____,三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响简
2、答：1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。请解释原因2.总结一下NN+结的作用。大题：1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef....求IB，Ic，求π模型参数，gm，go，gu..3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！发信人:willow(我要我的
3、自由),信区:Pretest标题:半导体器件-张莉发信站:自由空间(WedJun2321:38:402004),站内A卷1。以下那些是由热载流子效应引起的。。。。。。6个选项，待补充。。。2。何谓准静态近似3。为了加快电路开关时间参数应如何选取。。。参数，电容，fT,beita,待补充4。CE律的参数变化，Vt,xSiO2,N,结深按照参数的变化规律下列效应将如何变化（1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。。。//sigh,我把N弄反了，5个空全错（2）结深引起。。。3种效应，待补充。。。5?BJT高频pai电路，及各参数
4、意义简答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS的Vt,gmb分别如何变化(2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸器件影响一个MOS管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了4个Id~Vds，Vfb,Na,求尽可能多的参数已知载流子速度v(y)=u*dV(y)/d(y),推导Vds=Vdsat时的v(y),并作图--发信人:wkgenius(我们都渴望一种温存~~),信区:Pretest标题:2003年春半导体器件试题发信站:自由空间(2003年07月02日18:12:53星期三),站内信件一.--------------~~1.6ev
5、~~~--------------------
6、1um
7、酱紫的pn结导带底能带分布问1：N还是P重掺杂，为何？问2：外加电压正抑或负，为何？问3：求低掺杂边掺杂浓度问4：画场强分布，求最大场强，并画0偏时的场强分布二.pnp正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目太长乐。三.MOS和BJT饱和区的含义和机构四.tox减小对mos管一些效应的影响及原因，有截止频率，亚阈值特性....(5个，其他的三个记不清了，这个没仔细看，乱答得:（）五．MOS和BJTfT的产生机构（就是延迟项的含义）六．求本征电流
8、增益，注意Qb0=Gb*q就万事大吉了七.给定基区分布，求基区传输延迟（理解了moll-ross方法就easy了）八．关于MOS衬偏调制系数以及beta值等的运算，很简单九．一些基本概念的简答，比较常规十．可夹断型埋沟器件，Vgs=Vt，衬偏为０时的能带图**************************贴出来供ddmm们参考吧，题目有点活，关键在于考察对基础知识的理解，平时作业一定要弄懂plus:光电专业的ddmm一定别选这个课阿，内容超级多而且杂，很是很烦的，别重蹈我的覆辙发信人:XTR(M970),信区:Pretest标
9、题:《微电子器件与电路》(许军老师)2009秋季期末考题发信站:自由空间(SatJan921:45:102010),站内第一次在pretest发题，为后面的几门攒rp吧一.填空(20分)（与上一年的是完全一样的，cv过来而已）1.在双极型集成电路中不同BJT器件之间的隔离通常采用_____来实现，而埋层的作用则主要是_____，提高BJT电流增益的主要方法有______,______以及______，若发射级掺杂浓度过高也会导致BJT放大倍数的下降，主要是由于______效应造成的。2.半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A
10、.散射机制B.复合机制C.杂质浓度梯度D.表面复合速度3.有效的降低NMOS晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度B.降低器件阈值电压C.提高衬底沟道区的掺杂浓度D.降低源漏区的掺杂浓度4.硅PN结实验表明小注入时，理论计算的I比实验
