半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火

半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火

ID:29824357

大小:2.74 MB

页数:22页

时间:2018-12-24

半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火_第1页
半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火_第2页
半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火_第3页
半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火_第4页
半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火_第5页
资源描述:

《半导体设备行业:ASML独领风骚,上微电寻国产光刻星火》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、目录1光刻机:半导体工业皇冠上的明珠11.1光刻:半导体制造的核心工艺11.2光刻机:光刻工艺的核心设备31.3光刻机市场:上游供给不足,下游需求强劲82全球局势:三分天下,高端市场一家独大92.1ASML:高端光刻机垄断者102.2尼康:发挥面板光刻比较优势142.3佳能:光电为主,光刻为辅163国产化进程:前路漫漫,曙光微现173.1上海微电子:国产光刻机的星星之火17图目录图1:IC制造工艺流程1图2:光刻胶极性与效果示意图1图3:普通光刻技术(正性光刻)1图4:双重图案技术2图5:双重图案技术中的自对准间隔技术2图6:自对准间隔技术的四重图案化3图

2、7:光刻机工作原理图3图8:光刻机价格路线图3图9:光刻机曝光分类4图10:光刻机设备进阶历程5图11:步进扫描投影式光刻机5图12:光刻工艺结构对比简图6图13:局部浸没法示意图6图14:45nm制程下一代光刻技术两种路线6图15:EUV工作原理示意图7图16:ASMLEUV光刻机8图17:光刻机上下游市场产业链及关键企业9图18:2011-2017年全球光刻机出货比例9图19:2011-2017年三大公司各品类累计出货量(单位:台)9图20:2011-2017年光刻机各品类累计出货量来源10图21:2017年光刻机各品类出货量及来源(单位:台)10图2

3、2:ASML产品升级历程10图23:ASML2018Q1按下游市场营收拆分(单位:百万欧元)12图24:ASML2018Q1按产品类型业务拆分12图25:ASML2017年与18Q1分地区营收情况12图26:ASML2013年以来毛利率和净利率12图27:ASML2013年以来营业收入及其增长情况13图28:ASML2013年以来盈利情况13图29:ASML2017Q1-2018Q1设备收入情况13图30:ASML2017Q1-2018Q1设备订单情况13图31:ASML2013年以来研发支出情况14图32:ASML、Nikon和Canon研发支出比较14

4、图33:光刻机上下游市场产业链及关键企业14图34:尼康2018Q3营业收入结构情况(单位:十亿日元)15图35:尼康营业利润结构情况(单位:十亿日元)15图36:尼康FY2008以来光刻设备营收及占比16图37:尼康FY2008以来研发支出情况16图38:光刻机上下游市场产业链及关键企业16图39:佳能FY2008-2017光刻机销售额及其部门占比17图40:佳能FY2016-2018光刻设备销售量构成(单位:台)17图41:上海微电子公司IC前道制造用光刻设备18图42:上海微电子公司IC后道封装用光刻设备18图43:上海微电子公司TFT曝光设备18图

5、44:上海微电子公司LED、MEMS、PowerDevices制造用光刻设备19表目录表1:EUV研发五大难题7表2:公司主要系统型号及其工艺特征11表3:尼康主要光刻设备产品及工艺15表4:上海微电子公司主要设备产品及工艺191光刻机:半导体工业皇冠上的明珠半导体芯片制作分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节,光刻作为IC制造的核心环节,其主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上。由于光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平,光刻成为IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤,光刻的核心设备——光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠。1.1光刻:半导

6、体制造的核心工艺光刻工艺是指光刻胶在光照作用下,将掩模版上的图形转移到硅片上的技术。光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版,是在一个平面上加工形成微图形。在半导体芯片制作过程中,电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。图1:IC制造工艺流程图2:光刻胶极性与效果示意图数据来源:百度文库,西南证券整理数据来源:中国产业信息网,西南证券整理光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分

7、为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。图3:普通光刻技术(正性光刻)数据来源:拉姆研究,西南证券整理为了追求更小的工艺节点,在普通光刻之上已开发出多重图案光刻工艺,用来增加图案密度,最简单的多重图案工艺是双重图案,它将特征密度提高了两倍。最广泛采用的双图案化方案之一是双曝光/双蚀刻(LELE)。该技术将给定的图案分成两个密度较小的部分。通过在光刻工艺中曝

8、光光刻胶,然后蚀刻硬掩模,将第一层图案转移到下面的硬掩模上。然后将

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。