Array 段制程使用材料ppt课件.ppt

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1、Array段製程簡介2021/8/4Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][连接电路][保护板]検査装配绑定[LCDPanel]液晶滴下真空贴合切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]塗布曝光[Mask]現像刻蚀剥離[TFT基板]重复[Glass基板]PhotoProcess–ResistCoatingSpincoatingSlit(extrusion)coating薄膜生长制程PVD利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应—湿刻将显影后所产生的光阻图案转

2、印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形.刻蚀利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分—干刻EtchingtypeSubstrateChemicalIsotropicPlasmaIsotropic+AnisotropicWetetchDryetchPRPR膜膜基板基板PR膜基板IsotropicAnisotropicEtchant等方向浸入造成SideEtchEtchingtypeselectionPEP1Mo/AlNdwetetchPEP2SiNx/α-Si/n+-SidryetchPEP3Mo/Al/Mo;α-Si/n+-Siwet/dry

3、etchPEP4SiNxdryetchPEP5ITOwetetch干刻用气体反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。a-Si的刻蚀反应方程：SF6+He＋SiN→SiF4↑+SiS2↑+其他SF6：F元素的供给源。He：使等离子体均一化2.SiN的刻蚀3.PR灰化（Ashing）反应方程：PR+O2→O2：利用等离子体方法去除PRO2：有利于形成Taper角湿刻M1：Mo/AlNdM2：Mo/Al/MoITO草酸（H2C

4、2O4）HNO3+CH3COOH+H3PO4EtchingmodeSpray喷淋Spray+DipDip浸入GoodtapershapeFasterEtchingrateStep1：SprayStep2：DipAOI←2160mm→←2400mm→3GB×44unit=132GBG８SizeTheCCDsensordetectthesubstrate,Imagebytheprocessunit.DefectcanbereviewedpreciselyAOI–AutoopticalinspectionTEGproberandTesterArraylas

5、errepairAfterStriperAfterlaserrepairInlayerrepair(PEP1)DatafromAOIExample:MetalAl/ND:532nmDefecttypeRepairmethodMetalresidueMetalresidueGCshort用Blocklaser将残留metal打掉用Blocklaser将残留metal打掉Metalresidue用Blocklaser将残留metal打掉波长选择532nmTHANKS！45