最新Array工艺过程课件ppt.ppt

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1、Array工艺过程一、Array工艺流程简介二、Clean工艺简介三、Sputter工艺简介四、PECVD工艺简介五、Photo工艺简介六、Etch工艺简介七、Strip工艺简介八、4Mask和5Mask比较九、4Mask工艺流程目录一.Array工艺流程简介成膜/Pattern工程详细图(Deposition&PatterningProcessinDetail)沉积清洗PR涂附曝光显影刻蚀PR剥离检查WetEtchDryEtch二、Clean工艺简介Initialcleaner在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进行的清洗；Pred

2、epcleaner在成膜之前经常要进行的清洗；主要清洗strip之后残留的particle；Dockingcleaner在PECVD成膜之间进行的一步清洗；去除PECVD高速沉积所留下的particle；三、Sputter工艺简介Sputter和PECVD在Array的5Mask工艺中，共同承担了各个Mask的第一步主要工序---成膜。Sputter用于做金属膜和ITO膜：S/DITOGateGLASSGATEMo)GLASSGATEITO三、Sputter工艺简介Sputter是通过DCPower形成Plasma,具有高能量的GasIon撞

3、击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的工程。三、Sputter工艺简介Sputter关键控制要素工艺参数：本底真空和压力上升，气体压力和气体流量，溅射功率和溅射时间，加热温度，TM值质量控制（方法）：Rs(方块电阻)，PI(测量particle数量)，Thickness(薄膜厚度)，Stress(薄膜应力)GlassTargetBackingPlate共同板MagnetBarTM值：Target-Magnet间距离TM值对溅射的影响非常大，而随着Target的使用，Target会变薄，从而使TM值变小，这时往往表现为

4、Rs均匀性变差。这就要求MagnetBar随着Target的使用量而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适当调整TM值，从而改善Rs均匀性。三、Sputter工艺简介三、Sputter工艺简介质量控制：Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量，Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.Thickness是采用机械的方

5、法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。三、Sputter工艺简介溅射功率：溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率就越高。溅射时间

6、：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体,辉光放电生成等离子体在衬底上成膜。a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生成包括离子、子活性基团等较复杂的反应产物，最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上，其中直接参与薄膜生长的主要是一些中性产物SiHn（n为0～3）n+a-Si:H欧姆接触层：在SiH4气体中参入少量PH3气体通过辉光放电在衬底上成膜。PECVD绝缘膜、有源膜成膜机理a-

7、Si:H：低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高(2)a-SiNx:H：i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。ii.作为钝化层，密度较高，针孔少。(3)n+a-Si：具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成微晶薄膜。---成膜机理---膜性能要求四、PECVD工艺简介四、PECVD工艺简介GlassGateSiNxa-Si:HSiNxS/DPVXOhmic多层膜(有源层)和PVX(保护层)四、PECVD工艺简介利用化学反应方式,将反应物(气体)

8、生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术.Layer名称膜厚使用气体描述Multig-SiNx:H3500±10%ÅSiH4+NH3+N2对Gate信号线进行