Array工艺设备介绍.ppt

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1、Array2016年7月25日TFT-LCD—Array工艺与设备介绍课程内容介绍TFT-LCD结构原理Array工艺及设备介绍4Mask&5Mask工艺流程TFT-LCD显示及其发展TFT-LCD应用生活中大家接触到的TFT-LCD产品MobilephonePadMonitorTV2940*3370mm2880*3130mm2200*2500mm1950*2250mm1500*1850mm1100*1300mm680*880mm2290mm1.1T1.1TG6G7.50.5T~0.7T0.5T~0.7T0.5T·0.7TTF

2、T-LCD发展2000200220042006200720092015320*400mm1.1T90年代手机APPMonitor&TVTVG4G50.7T0.7TG8.5G10G10.5B9G1TFT-LCD结构TFT基板CF基板偏光片背光源驱动IC信号ICCCFL/LED扩散板导光板LCD面板控制ICPCBLCD显示器Module工厂：各个模块组装Cell工厂：TFT&CF基板对盒&切片Array工厂：基板上制作TFT(Thinfilmtransistor)CF工厂：基板上制作CF(Colorfilter)TFT-LCD原理

3、TFT-LCD工作原理：栅极引线(Gate)加电压(有无)TFT打开数据引线(SD)加数据信号电压(变化)液晶分子偏转屏幕显示内容改变TFT-LCD电路：TFT原理Gate：驱动控制TFT的开/关，更新画面显示GI：绝缘层，隔离Gate层的作用Act：包括a-Si和N+a-Si，形成TFT导电沟道SD：传输显示信号，对Pixel(电容)进行充电，充电量的多少决定了Pixel的亮度PVX：在SD和ITO间形成特定的连接通道ITO：透明电极(Pixel电极)，充电后形成电场控制液晶偏转角度(亮度)ITOSD(Source)PVX(

4、PassivationSiNx)n+a-Sia-SiGI(GateInsulator)GateSD(Drain)VIAHoleTN型TFT结构示意图TFT结构：Array工艺流程PhotoResistThinFilmGlassExposurePhotoMaskStripPRcoatingDevelopEtch(DE/WE)镀膜(Sputter/PECVD)InitialCleanAT&ARLightGlassThinFilmPhotoResistNextLayerArray工艺相关设备介绍SputterPECVDTrackEx

5、posureDryEtchWetEtchWetEtchStripInitialCleanThinfilmPhotoEtchArray工艺利用物理溅射沉积金属膜层：Al，Cu，Mo，MoNb，ITOetc.形成膜层掩膜板光刻刻蚀利用化学气相沉积半导体和非金属层：SiNx，a-Si，N+a-Si涂覆感光的光刻胶(正性PR)，并将曝光后的PR胶显影去除利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光，以便后续显影成像利用化学药液如酸湿法刻蚀金属利用化学药液将残留PR胶剥离投玻璃处对Glass进行清洗利用反应气体干法刻蚀非金属或金属Sput

6、terSputter的作用：ITOSD(Source)PVX(PassivationSiNx)n+a-Sia-SiGI(GateInsulator)GateSD(Drain)VIAHole（TN型TFT结构示意图）Sputter在Array工艺中负责进行Gate,S/D以及ITOLayer的溅射镀膜。SputterSputter现象定义：在某一温度下，如果固体或液体受到适当的荷能粒子(通常是离子)的轰击，则固体或液体中的原子通过碰撞有可能获得足够的能量从表面逃逸，这一原子从表面发射出去的方式称为溅射溅射发生的必要条件：1.轰击

7、粒子要有一定的质量2.轰击粒子的能量＞被轰击材料的结合能溅射的加强：要将溅射现象应用到实际生产中，必须要获得稳定的溅射液体溅射现象固体溅射现象玻璃AlAlFilmAr+Al原子SputterSputter的加强：磁控溅射NSSN溅射靶材（阴极）NS玻璃（阳极）磁条靶原子ArAr+eee1e1Ar+EB磁场的作用：以磁场来改变电子的运动方向，束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。溅射过程：以靶材作阴极，加电压后，电子获得足够能量在电场E作用下，在飞向基板过程中与Ar原子发生碰撞，使

8、其电离出Ar+和一个电子e，电子飞向基板，Ar+在电场作用下以高能量轰击靶表面，将动量传递给靶材原子，使其获得能量超过其结合能时，靶材发生溅射，溅射出来的靶材原子或分子则沉积在基板上形成薄膜。同时Ar+轰击靶材，释放出二次电子e1，二次电子与Ar原子碰撞产生更多的Ar+和电子