中职使用改编电子技术基础.ppt

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1、电子技术基础适用教程习水职业技术学校电子技术基础教案胡少海2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。即纯净的，具有稳定晶格结构的半导体。根据掺杂的物质元素不同，可分为以下两种：3．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能，在本征半导体中掺入其他元素使其提高导电能力的半导体。（1）P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素（3价）所形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。第一讲：半导体及其二极管1．半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅（Si）或锗（Ge）半导体。自由电子多数载流子（简称

2、多子）空穴少数载流子（简称少子）（2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价）所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。自由电子多数载流子（简称多子）空穴少数载流子（简称少子）图1ＰＮ结4．PN结：N型和P型半导体之间的特殊薄层叫做PN结。PN结是各种半导体器件的核心。如图1所示。P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通；反之，PN结截止。PN结具有单向导电特性。即：将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN结。①外加正向电压（也叫正向偏置）外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩

3、散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。②外加反向电压（也叫反向偏置）外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。二晶体二极管一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。1外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图2（a）所示；图2晶体二极管的外形和符号2符号：如图。其中：三角

4、形——正极，竖杠——负极，V——二极管的文字符号。3．晶体二极管的单向导电性：（1）正极电位＞负极电位，二极管导通；（2）正极电位＜负极电位，二极管截止。即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。晶体二极管的单向导电性[例1]图3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？图3[例1]电路图解由电路图可知，开关S闭合后，只有二极管V1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H1指示灯发光。4二极管的伏安特性1．定义：二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。二极

5、管的伏安特性5．特点：结论：正偏时电阻小，具有非线性。导通后V两端电压基本恒定：②VF＞VT时，V导通，IF急剧增大。①正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止，正向电流IF=0；其中，门槛电压（1）正向特性正向特性外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态。正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。导通电压:UD(on)=(0.60.8)V―――硅管0.7V(0.10.3)V―――锗管0.3V（2）反向特性结论：反偏电阻大

6、，存在电击穿现象。VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压VRM称为反向击穿电压。反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。反向特性外加反向电压时，PN结处于截止状态，反向电流很小。反向电压大于击穿电压时，反向电流急剧增加。反向击穿类型电击穿—PN结未损坏，断电即恢复。热击穿—PN结烧毁。（1）最大整流电流IFM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。（2）最高反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压。（3）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反

7、向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。（4）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。6、二极管的主要参数7、二极管的型号与规格如：2AP3A8二极管的简单测试图4万用表检测二极管将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。（1）.判别正负极性用万用表检测二极管如图4所示。万用表测试条件：R×100Ω或R×1kΩ；图5万用表检测二极管万用表测试条件：R×1kΩ。（2）.判别好坏(3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。(2)若正反向电阻非常大，二极管开路。(1)若正反向

8、电阻均为零，二极管短路；9二极管的分类（3）按用途：如图6所示。（2）按PN结面积：点接触型（电流小，高频应用）、面接触型（电流大，用于整流）（1）按材料分：硅管、锗管图6二极管图形符号三、晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制