电子技术基础教学教案(中职教育)

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1、课题1.1半导体的基本知识授课日期授课班级10电器1目的及要求1、掌握什么是半导体？2、掌握二极管工作特性以及伏安特性内线。3、掌握二极管的简易测量方法。教学重点1、要求要掌握二极管的的工作特性以及伏安特性曲线。2、掌握二极管的测量方法。教学难点是二极管的伏安特性曲线。课型新课教学方法教具二极管、万用表等器件与仪表。教学内容及教学过程（含时间分配）教学过程：1丄1导体、半导体和绝缘体•导体：口然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。•绝缘体：有的物质儿乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。•半导体：另有一类物质的导电特性处于

2、导体和绝缘体之间，称为半导体，如错、硅、碑化掾和一些硫化物、氧化物等§1・2半导体二极管121结构，符号二极管的几种常见结构:二、二极管单向导电性1、PN结加不同极性电压，表现不同特性。正向电压（正向偏压.正偏）——指P区接高电位,反向电压(反向偏压、反偏)——指P区接低电位,N区接低电位。N区接高电位。变薄外加正向电压变厚加反向电压e0e°ePe®•®N内电场ee—eeeep©e®©N<<—一外电场1_h—ll—外电场►―二_卜结论：PN结导通结论：PN结截止(1)加正向电压导通,内部电阻较小。(2)加反向电压截止,内部电阻较人。单向导电性是二极管的最重最的

3、特性。2、二极管的主要特性1.3二极管的伏安特性曲线死区电压硅管0・6V■错管0.2丫I反向击穿I电压[加导通压降：硅管0.6-0.7V；错管0.2~0・3VU1.3.3主要参数1・最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压伽人二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM~~般是Ubr的一半。3・反向电流Ir指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向

4、电流越人。硅管的反向电流较小，错管的反向电流要比硅管人儿十到儿百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主耍利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。4.微变电阻r[)rD是二极管特性Illi线上工作点0m二极管禅受的最高冈相电压—流过每:果题K管的平均能:晶体三昨及基本放大电路课hjM].3.4稳压二0亠符号n理0XX、麴綁啟等。二极亀—亠h授课班级10电器11、了解旳赴掌握三极管的电流分配关系及放大原理。2、掌握三极管邸N轸和输出特性，理解其含义，了解主要参数定义。師隔t俩W渤関翹触严型号通常有23M、鋼鋼鋼讎輪能。i、

5、万用表等器件屮教犁；瓏教較工作区W——I新课教学方法亍仪琢7含时柯分配）LLL1.基木结构孑，翻原理C

6、隼电极第电区N面积较大E比买数S«—尸基区彌滤波_沁电路N发射区接杂浓度较鬲V厂二匹C2血BK』以绳々、最窖*厶川以lbMW型三极管.「PNF型三极管2（年胡需午功耗伽二^Zmax分析前摄：理想变压器,RL-B此时I发射极乙max、—min。c/^iv80"hOV604020工作原理Mg）0.40.8N（v）J_►1八Zc

7、瑚鼬结正偏，1（离蚁j念轴。（2）饱和区：发射结正偏，集电结止偏。B

8、J：UCEIC,UCE»0.3V（3）截止区：UBE<死区电压，IB=O,IC=ICEO»02.主要参数1）电流放大倍数“和“2）集■基极反向截止电流ICBO3）集■射极反向截止电流ICEO4）集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的p值的下降，当卩值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM5）集■射极反向击穿电压当集…射极Z间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25。（3、基极开路时的击穿电压U（BR）CEO。6）集电极最大

9、允许功耗PCM§2.2三极管基本放大电路三极管放大电路有三种形式（共射放人器、共基放人器、共集放人器）以共射放大器为例讲解工作原理基本共射放大电路实现放大的条件1.三极管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。2.正确设置静态工作点Q,使整个波形处于放人区。3.输入冋路将变化的电压转化成变化的基极电流。4.输岀回路将变化的ic转化成变化的uce,经电容滤波只输岀交流信号。工作点不合适，会引起波形失真§2.3放大电路的等效电路分析法放大电路分析静态分析•…估算法动态分析■一微变等效电路法、图解法计算机仿真1.静态分析（宜采用估算法）静态分析冃的：求出电路的静态

10、工作点值根据岂流通道估算静态工作点值：