中职电子技术基础期中试卷

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1、2012年秋学期《电子技术基础》期中测试2012.11.一、填空题（0.5’×50）1、半导体中有两种载流子：和。2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过电流的变化去控制较大的电流变化。4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个PN结：和；三个电极：、和，分别用字母、、表示。5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是：、工艺条件（内部条件）是：、、。6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基

2、区为N型半导体的是型。7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。三极管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。9、硅管的门坎电压约为V，导通电压约为V；锗管的门坎电压约为V，导通电压约为V。10、若测得某晶体三极管的电流为：当IB=20µA时，IC=2mA；当IB=60µA时，IC=5.4mA，则可求出该管β为，ICEO为，ICBO为。12、晶体三极管的输出特性曲线是在IB一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。当三极管工作在区时，关系式IC=βIB才成立；当

3、三极管工作在区时，IC≈0；当三极管工作在区时，VCE≈0；三极管在区时，具有恒流特性。二、判断题（2’×10）1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。（）2、N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。（）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。（）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R×10KΩ挡。（）6．用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“＋”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二

4、极管的正极，另一电极是负极。（）7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。（）8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e极和c极可以互换使用。（）9、对于NPN型三极管，若VBE>0，VBE>VCE，则该管工作在饱和状态。（）10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。（）三、选择题（2’×10）1、某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）A、约等于150伏B、可略大于150伏C、不得大于40伏D、等于75伏2

5、、电路如图所示，图中二极管为理想二极管，当输入电压Vi=0V时，输出电压Vo=（）V；当输入电压Vi=20V时，输出电压Vo=（）V。A、3VB、0VC、10VD、20V3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地电位如图所示，则管子的导电类型，管脚自左至右的顺序分别为（）。A、NPN型，ebcB、PNP型，ebcC、NPN型，bceD、PNP型，bce4．在半波整流滤波电路中，如已知V2=10V，则负载RL上的输出电压为（）。A．12VB．9VC．4.5VD．10V5．晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电

6、极电流IC将（）。A．随IB增加而增加B．随IB增加而减少C．与IB无关，只决定于VG和RC6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压VAB为（）。A．-3VB．5V；C．8VD．-8VABCD7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是()。8、上图中处于截止状态的三极管是（）。9、分压式偏置电路中，如Rb1增大，电路中其余条件不变，则IC将（）。A．增大B．减小C．不变D．无法确定四、分析计算题（35’）1．画出下图放大电路中的交、直流通路。（8’）（a）（b

7、）VVo2、试判断下图中的二极管状态，并计算输出电压Vo。（4’）3、如图所示放大器中已知VG=15V，RC=3KΩ，Rb=500KΩ，β=60，试估算放大器的静态工作点和输入电阻ri、输出电阻ro、和电压放大倍数AV。（12’）4、如图所示分压式偏置电路中中：VG=12V，Rb1=200KΩ，Rb2=100KΩ，RC=2KΩ,β=60，试估算ICQ和VCEQ。（6’）5、画出单相半波整流电路图，若输出电压VL为45V，负载RL=5KΩ,试计算变压器次级电压V2和流过二极管的电流IV及二极管承受的最大反

8、向电压VRM。(5’)