欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:5314629
大小:1.98 MB
页数:8页
时间:2017-12-08
《tft—lcd网点mura的研究和改善》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、第28卷第6期刁VOI_28,NO.62013年12月andDisplaysDec.,20l3文章编号:10072780(2013)06—0860—08TFT—LCD网点Mura的研究和改善张定涛,李文彬,姚立红,郑云友。,李伟,宋泳珍,袁明,张光明。(1.北京林业大学丁学院,北京1O0083;2.北京京东方显示技术有限公司,北京100i76)摘要:为解决ll6.8cm(46in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列_T艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物
2、成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度e升高1O℃试验、工艺ash、n刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验。研究了沟道n掺杂a—Si层的厚度对于Mura的影响。确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和液m不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大。最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a—si厚度和升高温度晶L的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08。
3、与砌关键词:色斑;薄膜晶体管;非晶硅;缺陷分析中图分类号:TN312.18文献标识码:ADOI:10.3788/YJYXS20132806.0860显aResearchandImprovementofTFT—LCDNodeMuraZHANGDing—tao,LIWen—bin,YAOLi—hong,ZHENGYun—you。,SONGYong—zhen。LIWei,YUANMing。ZHANGGuang—ming(1.BeijingForestryUniversity,Beijing100083,China2.BeijingBOEDisplayTechno
4、logyCo.,LTD.,Beijing100176,China)Abstract:ToresolveakindofnodeMuraof116.8cm(46in)FringeFieldSwitchingpanelinarrayactual4masketchingprocess,scanningelectronmicroscopy,focusedionbeam,energydispersivespectroscopyMacro/Microandcriticaldimensionareusedtoverifythecomposi—tionsandcrystal
5、s.AlsoGItest,PVXlayer’Sfrontandbacksidein1HFcorrosionexperi—ment,elevating10℃inlowerelectrode,varyingashandAT(aftertreatment)ofnstepandactiveBTconditionsarecarriedout.Inaddition,theeffectofthendopeda—Sithicknessisstudied.SotheMurasources,influencingfactorsandtheMuramechanismarerev
6、ealed:FirstfactoriSitsfirstformationonthesubstratebackscratch.theotheriSthefilmchangesbetweencontactandnon—contactelectrodelayeretchingregionalintemperaturechanges,thethirdisby—productsadhesiontothesubstratebacksideinactivelayerdryetch,followedbyamulti—layerfilmdepositionandamplif
7、iedafterwetetch—stripprocess.Finallytheflatandroughlowerelectrodeisadopted,remaininga—Sithicknessisrestrictedbetween210nmand230nm,andtemperatureiSelevatedto50oC,thennodeMurahasnotbeenfoundandtheoverallMuraratioiSlessthan0.08.Keywords:Mura;thinfilmtransistor;amorphoussilicon;defect
8、analysis收稿日期:2013-06—27;修订日期:2013
此文档下载收益归作者所有