添加极性阴离子条件下AIOOH“复合生长基元”模型研究.pdf

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1、第40卷第7期当代化工V0]．40．NO．72011年7月ContemporaryChemicalIndustryJuly，2011添加极性阴离子条件下AIOOH“复合生长基元"模型研究郝保红，方克明(1北京石油化T学院机械工程系，北京102617；2．北京科技大学冶金学院，北京100083)摘要：结合水解特点，根据负离子配位原理，重点构建了添加极性阴离子条件下的A1OOH“复合生长基元”模型，原子聚集体方式，揭示了硫酸根离子的“插层”作用。用实验结果验证了理论推导的正确性，并用能谱检测结果证明了添加元素的

2、存在。关键词：AIOOH；水热法；硫酸根插层；复合生长基元；原子聚集体中图分类号：TB383文献标识码：A文章编号：1671-0460(2011)07—0669—04StudyonAIOOH‘‘ComplexGrowthElementary’’ModelUnderPolarAnionConditionHA0Bao—hong，FANGKe—ming~(1．DepartmentofMechanicalEngineering，BeijingInstituteofPetrochemicalTechnology，Be

3、ijing102617，China；2．CollegeofMetallurgy,UniversityofScience&TechnologyBeijing，Beijing100083，China)Abstract：TheA1OOH‘‘complexgrowthelementary’’modelunderaddedpolaranionconditionwasestablishedbycombiningwithhydrolysischaracteristicsandapplyingthenegativeions

4、ligandtheory．The“intercalation”actionofsulphateionswasrevealedintermsofatomic‘‘aggregate”．Theexperimentalresultsshowthatthetheoreticalderivationiscorrect，andtheenergydispersivespectrumresultsproveexistenceofadditionalelement．Keywords：AIOOH：Water&thermalenv

5、ironment；Sulphateionsintercalation；Complexgrowthelementary；Atomicaggregate一般来说，溶质在相界面上的浓集是该组分在也受环境相的影响。吸附层是指客体分子在晶体表主体相和界面相之间分配的结果。由于晶核具有各面的附着，包括物理吸附和化学吸附，可用厚度、向异性的特点，使晶体的生长呈现明显的择优取结构、吸附能、化学成分等参数来表征。其与晶面向，与低表面能的晶核表面比较，具有高表面能的的相互作用能的大小影响溶质分子进入或脱离晶晶核表面吸附成核基元

6、的几率较大。因此可以通过格位置的难易程度，与分子大小、结合能、构象、选择适宜的反应条件对颗粒生长形态进行适度调浓度等诸多因素有关。添加剂在晶体表面上的运动控。不同生长机制的晶面族具有不同的生长速率，途径为：从环境相向晶体表面扩散并暂时被表面捕晶体生长形态是晶体各晶面生长速率差异的宏观获；添加剂分子在晶体表面迁移；在晶体表面与台表现，其本质是晶体各晶面在水热条件下生长速率阶或扭折相结合。可见，活化剂或钝化剂，在晶体的不同，导致晶体宏观生长显露面的不同。所以，定向生长过程中都作用在吸附层。吸附层对晶体定调控晶体

7、的生长形态主要是通过改变外部条件来向生长起关键作用。过渡层位于界面相外侧，是环实现的。为了增加某个晶面的显露面积，就必须抑境相的特殊表面相，其性质较为复杂，它不仅受吸制该晶面的生长。附层和环境相性质的影响，还与界面层性质有关，晶体层位于晶体相的表面，既是晶体相的表面可用厚度、化学组成、温度、压力、饱和度等参数层，也是界面相的表面层；是界面相与晶体相的接来表征。由于过渡层是环境相的特殊表面相，考虑触部位，同时也是晶体相与非晶体相的分界层；其过渡层对晶体定向生长的影响主要从环境因素来内侧与晶体相相连，其外侧与界

8、面相的吸附层相考虑。连。晶体层的性质主要由晶体相的性质决定，同时上文讨论了添加阳离子的复合生长基元，本收稿日期：20l1—01一O9作者简介：郝保红(1962一)，女，副教授，博士学位，山西人，2010年毕业于北京科技大学物理化学专业，研究方向：从事纳米制备技术教学与科研工作。E-mail：ha()ba0h0ng881l1O@yahoo．corn．cn。670当代化工2011年7月文构建添加阴离子情况下的复合生长