直拉单晶作业指导书

《直拉单晶作业指导书》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、henananyangsolar文件編號類別DC直拉单晶作业指导书機密等級▓機密□一般制訂日期2008-12-21版本/次A/1頁次1/5一、作业目的：1、正确规范员工在单晶直拉过程中使用正确的方法操作单晶炉设备，避免因操作错误等原因给生产带来不必要的损失。2、规范员工的作业行为，使员工在生产过程中养成按规定操作的良好的作业习惯。二、作业范围：适用于单晶车间单晶炉生产操作区域。三、作业内容：1.装料1.1作业准备：a.进入车间需穿戴好洁净的工作服、鞋。b.准备好一次性洁净手套、耐高温手套、无尘纸、酒精、吸尘管、PVC

2、手套、防尘口罩。c.准备好钳子、扳手和各类拆装炉专用工具。d.用干净抹布将炉体从上到下擦一遍，擦洗时注意不要将所有控制界限及开关碰断或碰坏，将炉子周围清扫干净（尽量避免灰尘）。1.2作业顺序a.打开真空包装取出石英坩埚，检查有无异物，用手电对光检查石英埚有无气泡、黑点、裂纹，如有里层气泡直径超过2㎜拒绝使用。b.确认无误后轻轻放入石墨埚内，放平，高出石墨埚部分要均匀。c.取小料3㎏左右平铺于埚底。d.大块材料放置边上，为了稳固可放一些小块料。e.中等块的材料，放置中间，块料之间的缝隙尽量用小料填满。f.将剩下的小块料

3、放入，尽量填缝隙。g.最后整理上部材料，高出石英埚的要向内倾斜。h.装料完毕后，将埚转设置为2转/分钟，用吸尘嚣吸净装料时附着在石墨材料上的硅粉，石墨埚下降到化料埚位后停止转动，放置好保温盖和导流筒，保证原料不接触导流筒。j.将干净的籽晶安装在夹头上，注意将籽晶位置摆正，用沾有无水乙醇的无尘纸将炉筒的密封面接合部位污物除去，检查确认上述操作无误后合上炉盖和上炉筒。编制:审核:批准:henananyangsolar文件編號JKNY/DC-29類別DC直拉单晶作业指导书機密等級▓機密□一般制訂日期2008-12-21版本

4、/次A/1頁次2/52.抽真空2.1关氩气，点动开真空泵，开真空球阀。2.2抽真空至极限（必须在3.5pa以下,记录在记录本上），一次抽不到3.5pa以下导氩气再抽。2.3确认真空测量计显示数字不再变后，关闭排气球阀、关真空泵电源。2.4真空泵电源关闭1分钟后进行泄漏测量，3min内＜1Pa为合格，如不正常进行查漏，如漏速过大请机修人员维修。3.化料3.1打开氩气流量开关，将氩气流量定在30L/min，控制炉压1000-1100Pa。3.2打开加热开关加热熔料，根据下表逐步增加电压：时间‖0min‖30min‖60m

5、in功率‖30kw‖60kw‖90-95kw3.3化料埚位控制在平口以下100-110mm，化料过程中注意观察炉内情况和电流、电压表情况，如果电流表指针摆动单晶炉内打火立即停炉。塌料后开启埚转2转进行化料操作，观察硅液面有无杂质，将其化料情况记录在随工单上。3.4待硅原料化至剩下20%左右降低化料温度，将埚位升至平口以下50-60mm（避免高温时间过长石英坩埚渗硅）。3.5二次加料a．提前准备好二次加料器，用沾有酒精的无尘纸擦拭干净，保证加料器外壁与内壁无赃物。b．检查加料器底部后锥是否固定死有无老化，四瓣钼片是否完

6、好，有无裂纹，钼丝固定处是否固定好。c．加料器垂直放入晶体框中，准备好吸尘管带好口罩，把未装完料倒入加料器内（体积较大一点的块料严禁加入），用籽晶卡住加料器移入副室开始加料。d．升降加料器时必须时刻注意加料器的情况，避免加料器的固定点卡在副室口导致拉断钢丝绳。e．加料时注意温度的控制，加完料迅速提出加料器防止加料器在高温区放的时间过长，加完料后将温度调至高温进行化料。编制:审核:批准:henananyangsolar文件編號JKNY/DC-29類別DC直拉单晶作业指导书機密等級▓機密□一般制訂日期2008-12-21

7、版本/次A/1頁次3/53.6吊渣未化完之前发现料中有杂质或漂浮物时，将籽晶引细部分插入未化完的上使其粘住。摆动使漂浮物尽量多的粘在未化完的料中，待漂浮物粘的差不多时提起籽晶将渣拿出来。3.7化完挥发待料完全化完时将埚位升至平口以下50-60mm挥发1.5h。4.放肩测电阻4.1挥发完后降低温度将籽晶擦入液面放一个40mm左右的肩进行测电阻。4.2打磨肩四个面，将肩降低至常温以后用沾有酒精的无尘纸将肩擦拭干净。4.3检查测电阻率仪器是否准确，无误后测肩的电阻率，合格电阻率为1.1-2.0Ω·cm4.4低于或超出合格范

8、围的进行加母合金操作。4.5放一个40mm(大小根据加母合金的量来定)的肩上面放母合金熔入料中。5.引晶4.1调整晶转和埚转：6"规格产品晶转8转埚转6转(特殊情况工艺要求例外)8"规格产品晶转8转埚转6转4.2升坩埚至引晶埚位，将籽晶降至距液面的10mm处，预热5min。（引晶埚位：液面距导流筒10—20㎜）4.3将籽晶前端浸入硅液中试温。4