直拉式单晶炉测温方案

《直拉式单晶炉测温方案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、上海皇龙自动化工程有限公司太阳能光伏产业红外测温仪应用欢迎交流：邮箱mark_jm@163.com1直拉式单晶炉硅单晶是一种半导体材料。直拉式单晶炉是使用直拉方法获得硅单晶的一种设备。1直拉式单晶炉直拉单晶炉型式尽管不同，总的说来，主要由炉体、电器部分、热系统、水冷系统、真空系统和氩气装置五大部分组成。1直拉式单晶炉基本结构测温1直拉式单晶硅炉热场示意图1、硅液液面温度的测量单晶硅是在热场中进行拉制的，热场的优劣对单晶硅质量有很大影响。单晶硅生长过程中，好的热场，能生产出高质量的单晶。不好的热场容易使单晶变成多

2、晶，甚至根本引不出单晶。有的热场虽然能生长单晶，但质量较差，有位错和其他结构缺陷。因此，配置最佳热场，对热场的实时监测非常重要,特别是结晶处的硅液液面的温度监测，尤为重要。直拉式单晶炉测温应用解决方案采用一款短波双色测温仪（DSR10N），短波选择非常适合液态硅料温度测量，而双色设计可以克服炉内热场变化的影响。光学测温探头封装在紧凑型的机械外壳中，非常适合应用于直拉式单晶炉副室安装。籽晶硅棒结晶体拉杆炉塔融化控制系统炉缸控制系统硅融体炉缸温度监测系统PYROSPOTDSR10N温度范围：700~1800℃光学镜

3、头：可变焦距，带石英玻璃保护窗，最小测量目标1.2mm测量距离：距离250~4000mm,光谱范围：0.7~1.1μm测量精度：0.5%测量值重复精度：0.2%测量值响应时间：5ms，可调直10s比色系数（双色）：0.800~1.200可通过软件或测温仪上的按钮调节输出信号：0/4~20毫安,温度线性多晶硅铸锭炉1多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。多晶硅的生产是把高纯多晶硅装入到铸锭炉中，先熔化成液态，通过铸锭炉的自动化的操作，使液态硅自下向上缓慢地重新结晶，生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。1多晶硅铸锭炉

4、1多晶硅生产过程简介1、装炉将多晶硅料和掺杂剂放入炉内，给炉室抽真空并通氩气，保持气压为：400～600mbar2、加热熔化硅料给炉室内的石墨加热器通电加热。先预热，使石英坩埚的温度达到1200～1300℃左右，保持4~5小时。然后逐渐增加加热功率，使石英坩埚内的温度达到1500℃（大于硅熔点）左右，硅原料开始熔化。该时间约为9~11小时。3、铸锭硅生长使石英坩埚的温度降至1420～1440℃（硅熔点）左右，通过缓慢提升隔热系统或缓慢降低坩埚的方法，使下部的液态硅温度降低首先凝固成晶体，并从下往上非常缓慢地长晶

5、。4、退火处理坩埚内的液态硅全部结晶成固态后，把炉温控制在稍比熔点低一些，并让硅锭整体温度保持一致，退火处理3～4个小时，以消除硅锭内部的应力和裂纹，减少位错5、停炉冷却把加热功率降低并关闭，并充入氩气，提升气压至大气压。让铸锭硅在炉内自然冷却8～13个小时。方可打开炉室，取出铸锭硅块。多晶硅液面测温方案PYROSPOTDSR10N坩埚加热器温度测量方案PYROSPOTDG40N温度范围：700~1800℃光学镜头：可变焦距，带石英玻璃保护窗，最小测量目标1.2mm测量距离：距离250~4000mm,光谱范围：

6、0.7~1.1μm测量精度：0.5%测量值重复精度：0.2%测量值响应时间：5ms，可调直10s比色系数（双色）：0.800~1.200可通过软件或测温仪上的按钮调节输出信号：0/4~20毫安,温度线性温度范围：350~1800℃光学镜头：固定或可变焦距，最小测量目标1.2mm光谱范围：1.5~1.8μm测量精度：0.5%测量值重复精度：0.1%测量值响应时间：10ms，可调直10s发射率：0.05~1.00输出信号：0/4~20毫安,温度线性1多晶硅炉基本构造（红外测温仪安装处）单晶炉多晶炉材料发射

7、率晶体：0.55熔体：0.3石英坩埚：0.5石墨：0.8培训专用1