金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究

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1、电子工艺技术2012年1月第33卷第1期ElectronicsProcessTechnology53金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究赵飞,党元兰(中国电子科技集团公司第54研究所,河北石家庄050081)摘要:采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和

2、选择比的方法。关键词:金薄膜;反应离子刻蚀;刻蚀速率中图分类号:TN405.98+3文献标识码:A文章编号:1001-3474(2012)01-0053-04StudyonReactiveIonEtchingTechnologyofAuThinFilmZHAOFei,DANGYuan-lan(The54thResearchInstituteofCETC,Shijiazhuang050081,China)Abstract:DryetchingofAuwasstudiedbyreactiveionetchin

3、g(RIE)technologyandtheetchingratewaspresentedtobevariablewithetchingparameters,suchasthebiasbetweenanodeandcathode,etchingpressureandcomponentofgas.Itisindicatedthattheetchingrateincreaseswiththebiasandlowerpressure,whiledecreasingathigherpressure.Thecomp

4、onentofgashasgreateffectontheetchingrate.Etchingthicknesschangesproportionallywithetchingtime.Also,theuniformityandtheselectionratiocanbecontrolledbyadjustingtheparameters.Keywords:Authinfilm;Reactiveionetching;EtchingrateDocumentCode:AArticleID:1001-3474

5、(2012)01-0053-04金由于具有电导率高、热导率高、化学稳定性反应离子刻蚀是一种较为成熟的干法刻蚀手好和耐蚀性好等优点,常作为薄膜器件和半导体器段,它的优点是具有良好的各向异性刻蚀性能,而件的导电层材料,用以完成电信号的传输。导电金且工艺过程灵活可控,只需通过选择合理的刻蚀气层图形化可以通过刻蚀技术实现,它包括湿法刻蚀体、气压和功率便可实现刻蚀,是一种图形加工的和干法刻蚀两种。由于湿法刻蚀在溶液中完成,遵有效方法。其原理是:阴阳两极间引入强电场,使守各向同性的刻蚀机理,具有速度快、装置简易和气体

6、分子被击穿电离,产生由分子、原子和离子组操作简便等优点,但是刻蚀精度低,容易出现钻蚀成的等离子体,等离子体中的粒子与基片表面发生现象等缺点使其不适合用于特征尺寸小于3µm的微相互作用,完成物理或化学刻蚀。在这个过程中包[1]细图形加工。干法刻蚀技术采用等离子体中的活括的主要反应有:刻蚀气体进入反应腔,在电场作性基团及离子对材料进行刻蚀,可以得到更细微的用下气体分子发生分解和电离,形成等离子体,其线条和更高的刻蚀精度,更适用于通信技术的快速中正离子在电场作用下向基片运动,以较高的能量化、高频化和小型化发展要

7、求,已成为主流刻蚀技轰击基片表面,形成各向异性的刻蚀作用。另一部[2]术。目前国内外常用的干法刻蚀技术有:反应离子分离子则吸附在基片表面,与基片发生各向同性的[3]刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体(ICP)和磁增强刻蚀反应,随后反应副产物解吸附后在真空泵作用[4]反应离子刻蚀(MERIE)技术等。下被抽除。由此可见,反应离子刻蚀过程是物理轰作者简介:赵飞(1983-),女,工程师,主要从事微组装工艺研究工作。电子工艺技术54ElectronicsProcessTechnology2012年1月击和化学反应

8、共同作用的结果。2结果与讨论反应离子刻蚀用于Au膜刻蚀的报道不多,本文通过试验得到,刻蚀厚度受刻蚀偏压、压强、采用反应离子刻蚀技术,对金薄膜进行干法刻蚀试气体成分和刻蚀时间等因素的影响较为明显,通过验,研究了刻蚀工艺中偏压、压强、气体成分和时对刻蚀速率的表征可以找到各因素的影响趋势。另间等参数对刻蚀速率的影响,并从物理机制上予以外,刻蚀均匀性和选择比也可以通过参数的调整达分析,同时分析了控制刻蚀均匀性和选择比的有效到理想的效果

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