ito薄膜的制备工艺及研究

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1、武汉联工大学硕士学位论文摘要20世纪90年代以来，强示技术翻粥通讯技术的迅猛发展张产业化，极大的促进了光电}l攀膜的发展，间时对光电薄膜提出了更多鼹高的要求，论文针对太阳熊透明漱极的要求，对光电薄膜进褥了裁餐霹深入鹣璎竞。透臻导窀飘讫讶薄璇树科其有大麴载漉子浓度和光学禁带宽艘阂而表现出优良的光电特性，如：低的电阻率和黼的可见光滤过率秣。目前。此擞材料体系包括In203、Sn02、ZnO及其掺杂体系In20z：Sn(ITO)、Sn02-"Sb、Sn02：F、ZnO：AI(ZAO)等。英孛Sn02(TO)帮I

2、n203：Sn(ITO)薄膜俸为淹鞠窀投在液磊显示弱太籀链亳漶喾领域褥到实际成用。多种工慧可以用来制备透明导电游膜，如磁控溅射真空魇应蒸黢、健学气糖沉积、溶胶．凝腔法以及脉冲激炎流积等。其中磁控溅瓣工艺箕帮滚获速率离蘑每程好簿键点磊蔽海一耱广泛疵婚的成膜方法。本研究课艘分别以氧化铟锡靶和钢锡合金靶为靶材，采用射频磁控溅射秘爨流聂应磁控溅射工艺在魑气气氛中沉积tTO薄膜。靶糖孛Sn02移Sn静掺杂藤量跑裁分黝舞{0％秘7％。耀XRD、SEM、和可妊光．紫外分光光度计等测试手段对沉糨的薄膜进行了表怔。结果表明

3、．对于ITO薄膜，薄膜的光电性能薄膜结构的择铖敷向姓和与李寸底湿度、溅射氧气压镣工艺参数鸯缀大关系，ITO薄膜&SEM袭凑，嚣最袭强较乎整，艟燕粒遣磁羧致蜜。实验还菠现，在一定的温度范围内随着衬庶瀛度的升高，薄膜中产鸯的氧密位将会增移，使得ITO薄膜的电姆逐渐增大。而且其紫外透射吸收截止边骷向短波长穷向漂移；随着氩氧比例的增加，薄膜孛熊襞袋貉捐辩袋多，薄膜酌透毒砉骥收藏盘透蠢低波长方囱澡穆；关键词透明导电蹴化物薄膜ITO薄膜磁控溅射工忿参数武汉城工大学硕士学位论文AbstractSince1990s，th

4、erapiddevelopmentofprojectordisplayandopticalcommunicationspromotestheprogressofphotoelectricthinfiIms，andmoretechnologyrequestsappearinthephotoelectriccoatingfield．Inresponsetothedemandsoftransparentelectrodeofsolaroell。photoelectricthin蠹lmsarepreparedan

5、ddiscussed．Duetobigcarrierconcentrationandopticalbandgap，transparentconductiveoxidethinfilmsexhibitoutstandingopticalandelectricalproperties，suchaslowresistivityandhightransmittanceinthevisiblerangeetc，Atpresent，thiskindofmaterialsystemincludeIn203，Sn02，Z

6、n0anddopantsystemIn203：Sn(ITO)，Sn02：Sb，SnOx：F，znO：Al(ZAO)etc．Amongthem，Sn02(TO)andln203：Sn02(ITO)filmshavebeenwidelyusedinliquidcrystaldisplayandsolarcellastransparentelectrode．Manyprocessesareusedtopreparetransparentconductivefilms，suchasmagnetronsputter

7、ing，vacuumreactiveevaporation，chemicalvapordepositions，Sol-gel，laser*pulseddeposition．Amongthesemethods，magnetronsputteringisthemostwidelyusedtechniqueforpreparingthinfilms，owingtoitshighdepositionrateandgooduniformityete。ITOfilmswerepreparedbyRFandDCmagn

8、etronsputteringinpureargongasatmosphere，usingInx03andIntargetmixedwithsn02(IOwt％)andSn(7wt％)respectively．ThefilmswerefiguredbyXRD，SEMandVisibleLight，UVphotometer。Itwasconcludedthat，thestructureofITOthinfilmswereinfl