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时间:2019-03-18
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1、乂玉键大聋DALIANUNI化RSITYOFTECHNOLOGY工福破±享恆巧文MASTE民ALDISSERTATION鐵HCD法制备ITO薄膜的研究工程领域集成电路工程作者姓名送__勇_指导教师_____唐墟塞__教援20166月S日答辩日期年专业学位硕±学位论文MCD法制备盯0薄膜的研究TheResearchofITOThinFilmFabricatedBHCDMethody作者姓名:关勇工程领城集成电路工程学号;41309100指导教师;唐械安完成
2、日期:2016年6月5日大连理工大学DalianUniversityofTechnology大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中邑经注明引用巧容和致谢的地方外,本论文不包含其他个人或集体&经发表的研究成果,也不包含其他己申请学位或其他用途使用过的成果一。与我同工作的同志对本研究所做的贾献均&在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。学位论文题目:口冰法倫LT0缉诚如痛的1口作者签名/fc年6月S日;日期:_
3、_J4大连理工大学专业学位硕±学位论文摘要针对全球能源短缺、污染严重问题日益严重,节能环保将是未来全球亟待研究的重要课题。在照明领域,半导体照明即发光二极管,也叫LED(Lightemitingdiode),作为新型照明产品,有着节能、环保、寿命长等优点,正日益受到广泛关注。在诸多LED材料中,GaN基LED因其特有的禁带宽度而得到广泛应用。而打0薄膜卿diumtinoxide)因其兼具导电和透光的特性被广泛的作为GaN基LED的电流扩展层。因此,本文W基于GaN基LED的ITO薄膜为研究对象,分析了空屯阴极放电HCD)法制备的ITO(薄膜
4、的特性并探讨了不同特性的打0薄膜对GaN基LED的光电性能的影响。首先,本文研究了ITO薄膜的机理、应用及发展现状及不同的制备方法制备出的打0薄膜的特性间的差异:分析了打0薄膜各项性能的测试方法W及作为GaN基LED电流扩展层的要求:兼具导电、透光、良好的欧姆接触特性和具备与其它膜层有着良好的披覆性。其次,研究了HCD法(空也阴极放电法)及HCD设备的基本原理。本文采用HCD法制备出不同退火条件下的1X0薄膜,并对所有制备出的打0薄膜的厚度及退火条件对光电性的影响进行总结分析,分析出制备打〇最合理的薄膜厚度及最佳退火条件。并且通过改变沉积速率及氧气、氨
5、气流量的方式,总结出在不同条件下制备的打〇薄膜对GaN基LED光电性的影响结果。最后,为了验证所分析出的实验数据有效性和最优性,本文研究比较了HCD法制-Beam法制备打0薄膜的性能差异备的打0薄膜与传统E,并结合HCD法制备打0薄膜的相关披覆性,进而得出使GaN基LED光电性能达到最佳的ITO薄膜。关键词:IT0薄膜LED光电化能;GaN基;;--I大连理工大学专业学位硕女学位论文TheResearchofITOThinFilmFabricatedBHCDMethodyAbs化actWithlobalenergysho
6、rtageandincreasinlyseriouspollutionproblemsenergg,gyconservationandenvironmentalrotectionwillbeanimortantissuet:obestudiedintheppfuture.虹thefieldoflightingLEDemitindiodeLihtas江newteofli班tinroducts,(gg)ypgp,has化eadvantagesofenergysaving,environmental
7、protection,Longservicelifeandsoon.And化isalsoincreasi打glybeinwidelCO打cemed.Atthesametime化eITOIndiumtin呂y,(o义idehas化echaracteristicsofbothconductivitandlihttransmissionwhichiswidel)yg,y
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