去甲肾上腺素对受损背根节神经元持续性钠流的作用

《去甲肾上腺素对受损背根节神经元持续性钠流的作用》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、第四军医大学硕士学位论文去甲肾上腺素对受损背根节神经元持续性钠流的作用姓名：刘志洋申请学位级别：硕士专业：神经生物学指导教师：胡三觉20050501攘耱犍岿辑Y727205秉承学较严谨的学风与优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的Wt究喊果。尽嚣所知，除了文中掎别加以标往和致谢鹕地方外，论文中不包含募他A已经发表或攥写过的研究成果，不包含本八或他^已申请学位或其他用途使用过的成果。与菱一河工维数同意对奉殁究所擞照拄弼菱献均已在论文中作了明确的说明并表示了致谢。申请学H】论文与资料若有不窦之妤，本人承翅一切

2、相关责任。论文作者签名：曼l堑i亟日期保护知识产权声嚼本^完全了解第四军医大学有关保护知识产杈的规定，即：研究生在较攻读学位期问论文工作的知识产权单位屠第四军医大学。本八保证毕业离坟后，发表论文或使用论文工作成亲时署各举&晒慧着第西军落丈擎。学校可以公布论文的全部或部分内容(含电子版，保密内容除外)，可以采用影掰，箍题或共他复裁手段保存论文，学校有驭允许论文谖查嘲和惟阿，并在校园网上提供论文内容的浏览和下载服务。黼粼：单扯冁名啼移么去甲肾上腺素对受损背根节神经元持续性钠流的作用研究生：刘志洋学科专业：神经生物学所在单位：第四军医大学神经科学研究

3、所导师：胡三觉教授辅导教师：王玉英博士关键词：背根节神经元去甲肾上腺素阂下膜电位振荡持续性钠流TTX膜片钳中国人民解放军第四军医大学2005年05月本研究受国家自然科学基金重点顼昼(3

4、(3030040)利面上项目(30200084)'资助笙幽兰堕叁堂塑主堂垡堡壅——缩略语NEDRGSMP0IN。p缩略语表英文全称norepinephrinedorsalrootgangliasubthresholdmembranepotentialoscillationpersistentsodiumcurrent中文全称去甲肾上腺素背根节闽下膜电位振荡持续性

5、钠流始川军医太学硕‘L-学位论文去甲肾上腺素对受损背根节神经元持续性钠流的作用硕士研究生：刘志洋导师：胡三觉教授第四军医大学神经科学研究所，西安710032中文摘要机械性外伤、缺血、局部炎症等各种致病因素可直接或间接引起外周神经的损伤，诱发以痛觉过敏、痛性感觉异常、自发性疼痛为主要表现的持久异常痛感觉，称为慢性痛。由椎间盘脱出以及椎问孔狭窄等引起的背根神经节(dorsalrootganglia，DRG)或脊神经根受压导致的疼痛是临床常见的慢性痛症状。此时作为感觉传递第一站的DRG受损神经元的兴奋性往往异常增高，呈现超兴奋状态。这种神经元超兴奋主

6、要表现为闽值降低，适应性减弱，自发放电等变化，并成为产生慢性神经病痛的“起搏点”。这种异位自发放电产生的基础是阈下膜电位振荡(subthresholdmembranepotentialoscillation，SMPO)。同时，在组织炎症和周围神经损伤后，感觉神经元和外周感受器表现对去甲肾上腺素(norepinephrine，NE)受体激动剂和交感传出纤维兴奋异常敏感。在体加入NE对这种异位自发放电的产生有一定的促进作用。并且证明了是SMPO介导NE对损伤DRG神经元的兴奋性作用。然而，NE影响SMPO的离子通道机制尚不清楚，制约着慢性病痛机制的

7、进一步研究。本研究利用大鼠背根节慢性压迫造成的神经元超兴奋标本，通过离体单细胞膜片钳记录技术对受损DRG神经元电生理检测，阐明NE对SMPO影响的离子通道机制．有助于深入揭示慢性痛“起搏点”形成的原因，为慢性痛治疗提供新的策略。2第凹军医大学硕士学位论文实验结果1．受损DRG神经元上持续性钠流(persistentsodiumcurrentINap)的检测依据持续性钠通道的生物学特点：(1)激活电位比快钠通道低，大约负10-15mV。(2)通道激活时间较长，即失活过程较慢。(3)通道完全开放时，电流的幅值较低。(4)对TTx的高度敏感性。在48

8、例慢性压迫损伤的DRG，记录了106个神经元，其中大细胞(D>401xm)10个，中等细胞(D：30～40／ain)85个，小细胞(D-25～30斗m)11个。膜片钳成功封接后，给予神经元斜波(--80mV至--30mV，时间3s)刺激，采用穿孔全细胞式记录。根据细胞大小不同，电流幅值也有所不同。较大细胞有较大电流，中等细胞电流的激活电压在．70mV左右，其最大电流出现在．55mV左右，幅值平均在150士40pA。引出的持续内向电流的时间跨度差别不是很大，中等细胞的持续时间为】80a：20ms，小细胞的持续时间为165士15ms，平均电流持续时

9、间约为150～200ms之间。2．持续性电流对T1x的敏感性在损伤DRG神经元上测得的持续性内向电流，对极低浓度的兀x具有高度敏感性，通常在100nm