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时间:2019-02-25
《ctab@sio2纳米复合物作为基因转染载体的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、分类号UDC硕士学位论文密级CTAB@Si02纳米复合物作为基因转染载体的研究CTAB@Si02Nano-ComplexWithPotentialsofGeneDelivery,作者姓名:学科专业:学院(系、所):指导教师:汪启炉药剂学药学院陈玉祥教授论文答辩日期遗睦』二茸一答辩委员会主席中南大学2012年5月原创性声明本人声明,所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了论文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我共同工作的同志
2、对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。作者签名:—、左jL出L日期:J止年j月单日学位论文版权使用授权书本人了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文,允许学位论文被查阅和借阅;学校可以公布学位论文的全部或部分内容,可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》,并通过网络向社会公众提供信息服务。期:bf壶年上月』日硕士学位论文中文摘要摘要目的:制备二氧化硅纳米,并将十六烷甲基溴化铵(CTAB)包覆在二氧化硅纳米表面形成C
3、TAB@Si02复合物,同时研究不同条件下修饰后二氧化硅纳米表面电位的变化情况。最后还研究了CTAB@Si02复合物对HepG2,U251,Hela的细胞毒性,也探讨了该复合物能否和PCR出的内皮抑素基因结合并保护内皮抑制素基因不被核酶降解。方法:通过微乳法制备了二氧化硅纳米,并利用静电结合作用及疏水键合作用将CTAB包覆在二氧化硅纳米表面。该复合物的细胞毒性则通过MTT检测分析得出。同时,通过琼脂糖凝胶电泳研究了该复合物能否运载DNA及保护DNA不被核酸酶降解。结果:通过微乳法成功制备出了粒径约为100nlYl的二氧化硅纳米粒,修饰后二氧化硅纳米的zeta电位由
4、负值变为正值,但粒径并未发生明显变化。通过单因素实验发现,CTAB的浓度,溶液的pH值,搅拌时间对修饰后二氧化硅纳米粒的表面电位有很大影响。通过MTT实验发现,CTAB修饰二氧化硅纳米后,能使二氧化硅纳米细胞毒性增大,但也能使CTAB的细胞毒性减小。在HepG2细胞中,Si02的IC50是458.9pg/mL,而CTAB@Si02复合物的IC50是259.44gg/mL,在U251细胞中,Si02的IC50是442.94/ag/mL,而CTAB@Si02复合物的IC50是264.62lag/mL,在Hela细胞中,Si02的IC50是348.52gg/mL,而CT
5、AB@Si02本课题得到湖南省自然科学基金(2010TZ4011)的资助硕士学位论文中文摘要纳米复合物的IC50是285.05p.g/mL。通过琼脂糖凝胶电泳发现,该复合物不仅能结合DNA,还能保护DNA不被核酸酶降解。结论:CTAB修饰二氧化硅纳米后,二氧化硅纳米的表面电位发生重要改变,同时,修饰后的二氧化硅纳米不仅z月a匕l-,和DNA结合,还能保护DNA不被核酶降解,修饰后的二氧化硅纳米适合作为基因转染的非病毒载体。关键词:二氧化硅纳米,CTAB,内皮抑素,基因治疗ABSTRACTObjects:Preparesilicananoparticlesandmo
6、difieditbyCTAB,whichcanmakethezetapotentialofsilicananoparticlesfromnegativetopositive.Inthispaper,wewillalsoevaluatethecytotoxicityoftheCTAB@Si02complextoHepG2,U215andHelacellline.MeanwhilewewillinvestigatewhetherthecompoundcanintegratewithDNAandprotecttheDNAfrombeingdegradationbyDNa
7、seI.Methods:Thesilicananoparticlesarepreparedbywater-in-oilmicroemulsion,andtheCTABmodifiedthesilicananoparticlesbyelectrostaticattractionandhydrophobicbondeffects.Toevaluatethecytotoxicityofthecomplex,thecellviabillitytestswereperformed.TheeffectsofSi02,CTAB@Si02,andCTABontheviabilit
8、yofHe
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