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《ⅳⅵ族半导体薄膜生长行为及金属ⅳⅵ族半导体界面性质的研究（可编辑）》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、ⅣⅥ族半导体薄膜生长行为及金属ⅣⅥ族半导体界面性质的研究兰兰迭坐昱签夔送生益堑边区金属么至二兰逮坐昱签昼亘盈边盟究⑧论文作者签名:羔≥抄指导教师签名:答辩委员会主席:委员:委员:委员:委员:委员:答辩日期:丝孽.血止一四●Ⅲ,Ⅲ●川薹薹?●四.??????????????....,...,........................................................,....................................................,................?./⑧’:
2、●■‘一’::::浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得逝姿盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位做作者签名.象洛厶签字嗍刁年‘月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解澎姿态堂有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权逝姿态堂可以将学位论文的全部或
3、部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。导师签名:从慨专学位做作者签名.身、%移签字瞧砷年占月日?期:勺年‖月~浙江人学博十学位论文致谢致谢本论文得以顺利完成得益于诸多良师益友的支持和帮助。在此请接受我最真诚的谢意首先感谢我的导师何丕模教授,感谢您引领我踏上科研之路。您自由却不失严谨的治学处事态度,大度而自信的爽朗性格为我们营造了一个良好的工作氛围。您对问题的专见血使我在科研道路上少走了不少弯路。没有您的悉心指导本论文不可能得以顺利完成。在即将毕业离校之际我想对您说的是:“能成为您的学生我感到很荣
4、幸”同时也感谢大师兄张寒洁副教授在实验上给予的引领和指导。感谢吴惠桢教授在整个研究工作中给予的悉心指导和帮助,感谢您对我科研工作上的大力支持,您渊博的专业知识、执着钻研的科研精神给我留下了深刻的印象。对你们的谢意只能化作一句诚挚的祝福:祝万事如意,一生平安。本文的许多工作是在实验室众多成员的无私热心帮助下完成的,在此向他们表示衷心的感谢感谢陆赞豪师兄对本文在理论计算上的贡献,感谢徐以峰师兄在平时学习和实验过程中给予的无私帮助。感谢斯剑雷同学、徐天宁师兄为本文实验制备族半导体样品,感谢你们在实验上给予的大力帮助以及在平时给予的有益讨论。感谢师妹廖清在
5、实验过程中给予的帮助。本系的鲍世宁教授、李海洋教授和朱萍副教授也给了我很多的指导和帮助。对于你们的指导和真诚的帮助,我表示最真挚的谢意。同时也感谢张伟伟,朱家宝,钱惠琴、胡云玩等一起工作过的同学对我的帮助。最后,我还要特别感谢我的家人,你们自始至终的支持和无私的奉献是我学习、工作的动力之源。谢谢你们祝你们永远健康幸福吴海飞年月于浙江大学浙江人学博学位论文摘要要摘族半导体,,具有窄的直接带隙常温下约.,对称的能带结构,以及由重空穴带缺失导致的低俄歇复合率等本征特性,使其在中红外波长范围~激光器和探测器两大领域有着重要的应用前景。此外,这类材料还具有高
6、的载流子迁移率,高的介电常数,其带隙温度系数为正,带隙压强系数为负。这些特性使得族半导体在新型光电器件研制方面具有很好的应用价值。由于族半导体器件是基于薄膜结构的,所以薄膜的表面结构和界面特性对于族半导体器件的应用具有决定性的影响。因此对与之相关的基础性问题如涉及族半导体器件的表面和界面特性的研究将有助于我们深入了解族半导体器件的工作机理,从而为.族半导体发光器件的设计提供有力的理论依据。本文利用扫描隧道显微镜、光电子能谱和低能电子衍射,等现代表面测试手段,对涉及族半导体薄膜的两类行为一族半导体薄膜的生长以及族半导体/金属的界面性质进行了系统研究。
7、首先,我们利用超高真空扫描隧道显微镜对在衬底上分子束外延生长的单晶薄膜进行了研究。实验结果表明沉积的薄膜是以台阶流模式生长的,其表面形貌依赖于外延生长时铅、硒的比率。在/的生长条件下得到的薄膜,其表面为具有单原子层平整度的螺旋锥体,这样的薄膜不仅适合用作多层异质结构如多量子阱结构生长的缓冲层,而且还适合作为单晶衬底来研究与金属间的界面形成机理。而在/约为。的生长条件下得到的薄膜,由于生长过程中过量的铅会作为杂质在位错中心云集而使在面的生长速率减慢,致使薄膜表面除了单原子层生长卷线外还形成了呈倒置三棱锥结构的型缺陷。经研究发现与具有完全相同的薄膜生长
8、行为。在半导体器件中,涉及金属/族半导体界面的一些基础性问题如金属与半导体间的相互作用的研究至关重要,它将直接影响载流子从
