过渡族元素掺杂ZNO稀磁半导体薄膜的生长及其性能研究

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时间:2019-05-10

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1、浙江大学材料系硕士学位论文过渡族元素掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的生长及其性能研究姓名:王雪涛申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:朱丽萍20100301浙江大学硕十学位论文AbstractDilutedmagneticsemiconductor(DMS)hasattractedgreatattentionduetoitspotentialapplicationsinspintronics.Dilutedmagneticsemiconductors(DMSs)areformedbypartialsubstitution

2、ofthecationsofthehostsemiconductorswithsmallamountofmagnetictransition—metal(TM)ionssuchasV,Cr,Mn,Fe,Co,andNi.Withchargeandspindegreesoffreedominasinglesubstance,DMSshaveattractedagreatdealofattentioninrecentyearsasenablingmaterialsintheemergingfieldof“spintronics”

3、,suchasmanufacturehigh-densityinformationmemory,logicdevicesandthespin-polarizedlighttransmitterofultra—lowenergyconsumption,whichareoptical,electricalandmagneticintegratednewdevices.Amongallthesesoxides,ZnObelongstothelistofthemostsuitablebuildingblockmaterialsfor

4、spintronicsapplicationduetoitsabundanceandenvironmentfriendlynatureandalsoduetoitspotentialasasuitableoptoelectronicmaterialwithawidebandgap(3.37eV)andahighexcitonbindingenergy(60meV).ZnOhasSOmanyadvantages,andWasappliedwidelyandeffectively.Buttherearemanyarguments

5、fortheoriginofthemagnetization.Themaintaskistoclearlytherelationshipbetweenthecarriersandthemagnetization.Inthisthesis,basedontheintroductionofpastandcurrentresearchonZnO—baseddilutedmagneticsemiconductormaterialsanddevices,transitionmetalionsdopedZnOthinfilmsarepr

6、eparedbyPLDontheSi(100),quartzandglasssubstrates.Themainresearchworkareasfollows:ThepreparationandcharacterizationofNidopedZnOthinfilms.TheNidopedZnOthinfilmsWaspreparedbyPLD.Bychanging02pressuresandthecontentofNiinthefilms,wesoughtforpropergrowthconditionsforNidop

7、edZnOthinfilmsandstudiedtheaffectstothemagneticproperties.Optimalconditionsareasfollows:thesubstratetempretureis500。C,the02pressureis0.02Pa,andtheconcentrationofNiisabout3at.%.WhentheNiconcentrationisabove5at.%.theexistenceofNiOphaseinthefilmsinduceselectricpropert

8、iesdeterioratedandthevisiblelighttransmittance(400—800nm)decreasedsharplyresultingfromthebindingenergyrelaxation.NtypeZn(Ni,Ga)OthinfilmsandPtype

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