iii族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究

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1、III族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究1070109172310154代号学号TN4公开分类号密级题中英文目III族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究StudyonGrowthandCharacterizationofIII-NitrideSemiconductorEpitaxialFilms作者姓名王党会指导教师姓名职务郝跃教授学科门类工学学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期二○一二年十一月西安电子科技大学博士学位论文Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究作者王党会导师郝跃教授学科微电子学与固体电子学中

2、国西安2012年11月StudyonGrowthandCharacterizationofⅢ-NitrideSemiconductorEpitaxialFilmsByWangDangHuiAdissertationsubmittedtoXidianUniversityInpartialfulfillmentforthedegreeofDoctorofPhilosophyinMicroelectronicsandSolid-StateElectronicsWrittenunderthedirectionofProfessorH

3、AOYueXianPRChinaNovember2012作者简介王党会陕西武功人出生于1976年5月1999年7月毕业于宝鸡文理学院获化学教育学士学位2007年3月毕业于西安电子科技大学获材料科学与工程硕士学位2013年6月于西安电子科技大学获工学博士学位导师郝跃教授主要研究方向Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究等代表性成果及经历已在《ChinesePhysicsB》SCIWOS0003《ScienceChinaPhysicsMechanicsAstronomy》SCIWOS0003《JournalofKoreanP

4、hysicsSociety》SCIWOS000308328900021《JournalofOptoelectronicsandAdvancedmaterials-Rapidcommunications》SCIWOS000308717800020《JournalofAlloysandCompounds》SCIWOS0003等权威刊物发表学术论文5余篇申请受理发明专利1项已参与完成国家自然科学基金等重大科研项目四项WangDanghuiwasborninWugongshaanxiProvinceinMay1976Hereceiv

5、edhisBSdegreefromcollegeofscienceartsinBaojiin1999HisMSdegreeinmaterialsscienceandengineeringfromXidianUniversityin2007andthePhDdegreeinmicroelectronicsolidstateelectronicsfromXidianUniversityin2013underthedirectionofProfessorHaoYueHisresearchinterestingincludesthe

6、growthandcharacrterizationofⅢ-NitridesemiconductormaterialsHehaspublished5journalpapersonJournalofAlloysandCompoundsChinesePhysicsBScienceChinaPhysicsMechanicsAstronomyJournalofKoreanPhysicsSocietyandJournalofOptoelectronicsandAdvancedmaterials-Rapidcommunicationsi

7、n2012Hehasalsoauthored1Patentswhichonehasbeengranted西安电子科技大学学位论文独创性或创新性声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果尽我所知除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意申请学位论文与资料若有不实之处本人承

8、担一切的法律责任本人签名日期西安电子科技大学关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定即研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学学校有权保留送交论文的复印件允许查阅和借阅论文学校可以公布论文的全部或部分内容可以允许采用影印缩印或其它