基于胶体ⅱ-ⅵ族半导体量子点薄膜太阳能电池的研究

基于胶体ⅱ-ⅵ族半导体量子点薄膜太阳能电池的研究

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时间:2019-03-09

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1、摘要薄膜太阳能电池是一种第二代太阡l能电池,具有材料种类多,结构简单等特点,可成为第一代太阳能电池的替代品。随着纳米材料的发展,薄膜太阳能电池在材料,结构等方面都取得了很大的发展,也极大地丰富了薄膜太刚能电池的概念,但薄膜太阳能电池的能量转换效率目前仍比较低。本论文围绕着基于II一Ⅵ族半导体量子点的薄膜太阳能电池开展以下研究。首先,本文简要综述了量子点的发展及在各个领域的应用,然后对实验中用到的两种无机量子点(CdSe和CdTe)的制备做了详细的叙述。其次,我们在实验中制备了两种薄膜太阳能电池。由于制备过程中各个环节都会对薄膜太阳能电池产生很人的影响,所以对

2、各个环节都做了很详细的描述。对正电极的制备,这两种结构的薄膜太阳能电池分别采用了两种不同的方法:在ITO/PEDOT:PSS/CdSe:P3HT/AI结构中我们采用了自己制备ITO电极,原因是混合薄膜太阳能电池开路电压和短路电流都相对要小的多,所以采用腐蚀ITO电极的方法对器件造成的影响是不能忽略的。在真空镀膜系统中制各的ITO薄膜电极要相对干净的多,避免了不必要的污染。ITO薄膜电极在制备的过程中,基板温度、充氧量、沉积速率等因素都会对ITO薄膜产生很大的影响,通过正交实验摸索出这几个变量的最佳组合,做出在现有实验条件下最好的ITO薄膜电极。在有机无机混合

3、薄膜太阳能电池制各过程中,把P3HT放入CdSe量子点溶液中,静置一天,让P3HT充分溶胀,然后再超声,使得PBHT充分溶解。这样旋涂出来的混合薄膜也比较均匀。全无机薄膜太阳能电池中间有效层是两层无机量子点薄膜,这两层薄膜单独成膜,在接触的地方有极薄的部分混合,类似PN结。先旋涂CdTe量子点薄膜,放在高真空系统中退火,然后再旋涂一层CdSe量子点薄膜。将中间有效层制备好之后,紧接着用热蒸发法制备Al背电极。最后,我们对制各出来的两种薄膜太阳能电池进行了测量与表征。在室温下,混合薄膜太阳能电池和全无机薄膜太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别是

4、:0.76V,5.14mA/cm2、25%、1%和0.79V、7.06mA/cm2、300,6、1.6%。在改变温度(温度范围77K.一307K,温度间隔为:77K、97K、117K、137K、157K、177K、197K、217K、237K、257K、277K、297K、307K)的条件下,分别测量了I.V特性曲线和瞬态响应曲线,获得的实验结果如下:l、随着温度的升高,开路电压、短路电流、光电流都有相应的升高,并联电阻在这两种电池中有不同的变化趋势。在混合薄膜太阳能电池中,并联电阻相应下降,表明漏电流相应增加,这对混合器件来说是不利的因素,有必要对混合薄膜

5、太阳能电池制备的过程提出更高的要求;在全无机薄膜太阳能电池中并联电阻是上升的,也就是说随着温度的升高,光电流复合的成分在减小,这是有利于器件的性能的,从另一个侧面说明器件做的还是比较好的。2、从这些曲线随温度的变化趋势可以看到,太阳能电池是一种非线性器件,其输出量与多个变量如环境温度、串联电阻、并联电阻都密切相关。.3、从混合薄膜太阳能电池开路电压、短路电流随温度的变化趋势曲线中可以看出,在297K附近的变化出现转折,而这个温度也在P3HT的玻璃化温度附近,说明了有机无机混合薄膜器件受有机聚合物的影响很大,推断出其内在的载流子传输机制跟有机聚合物太阳能电池接

6、近。对于全无机太阳能电池,开路电压随温度的上升而上升,可以推断出有效层中的D/A接触界面能有效地分离电子空穴对。关键词:薄膜太阳能电池;量子点;CdSe;CdTeAbstractThinfilmsolarcellswasthesecondgenerationofsolarcells;Duetothemanykindsofmaterialsandsimplestructure.Itwasseenasaalternativeproductofthefirstgenerationofsolarcell;Especiallywiththedevelopmentofn

7、ano-materials,thinfilmsolarcellsnotonlyhavemadegreatdevelopmentinthematerial,structure,ere,butalsogreatlyenrichedtheconceptofthinfilmsolarcells.ButnOWtheenergyconversionefficiencyofthin-filmsolarcellsisstilllow.踞carryoutthefollowingstudiesaroundthethinfilmsolarcellsbasedonII.VIsemi

8、conductorquantumdotonthist

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