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1、SiTFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究林鸿涛,刘伟:a—siTFTr—LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究文章编号:1006--6268(2006)08—0024—05a—SiTFT—LCD制造工艺中的-TO返修工艺研究林鸿涛1,2j刘伟(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130021;2.吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033)摘要:列举了不同的a-SiTFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺,详细分析了在五次光刻工艺中的电化学腐蚀问题的反应机理,并对各种返修工艺的优点和缺点进行了简要地说明.关键词:a-SiTFT-LCD制造工艺;电化学腐蚀;
2、反应机理;氧化锡铟;返修工艺中图分类号:TN141.9文献标识码:BTheTechniquesoftheITOReworkinthea-SiTFT—LCDProducingProcessesLINHong-tao'..,LIUWei(1.ChangchunOpticalPrecisionEngineering&PhysicsInstitute,J.1inChangchun130021,China;2.JilinNodhColor-CryslalDigital-ElectronCO.,Ltd,JilinChangchun130033,China)Abstract:Inthispa
3、perthetechniquesoftheITOreworkinthevariousa-SiTFT—LCDproducingprocessesareenumerated,andtheprincipleofthereactionoftheelectrochemicalcorrosioninthefivemask.Sphotoengravingprocessesisdetailed,atthesametimetheadvantagesandthedisadVantagesofthedifferenttechniquesofthereworkarealsoexplainedtothepoin
4、t.Keywords:a-SiTFT—LCDproducingprocess;electrochemicalcorrosion:principleofthereaction;ITO;techniquesoftherework.1引言a-SiTFT—LCD是当今平板显示的主流产品,其阵列基板的制造工序多,工艺复杂,技术难度大,制造成本高.在不降低产品的质量和性能的前提下,如何在制造过程中通过返修来提高产品的合格率,减少不合格品数量,降低材料的消耗,一直是TFT—LCD生产厂商所关注的问题.ITO象素图形是TFT阵列基板的重要组成部分,象素面积的大小以及相对于栅线,数据线的对位精度,对整个
5、显示器件的影响很大.但实际生产中,不可避免地会发生一些不良或异常,例如ITO膜质异常导致刻蚀速率过快,使象素图形面积变小,进而改变了存储电容的大小;ITO对位偏差等等.这些不良都需要得到纠正才24现代显示Adva眦edDisplayAug2006收稿日期:2006—03—21林鸿涛,刘伟:a—siTFTr—LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究能成为合格品.尤其是近年来随着五次光刻工艺被普遍采用,m象素电极是在最后一次光刻中形成的,如果因为出现不良而废弃,则意味着以前五次光刻的各种消耗全部都要报废.所以在实际生产中,应该依靠妥善的ITO返修工艺来提高成品率.传统的ITO返修工艺是建立在七
6、次光刻的阵列工艺基础上的.五次光刻工艺的研究和开发使lTO返修工艺的研究也迫在眉睫.对于五次光刻工艺下的ITO返修工艺,相关的报导很少.但原有的lTO返修工艺由于可能存在严重的电化学腐蚀,因而不再适用.本文对五次光刻工艺下如何使用原七次光刻工艺中的ITO返修工艺导致的电化学腐蚀的原理进行了阐述,并提出了五次光刻工艺下合理的ITO返修工艺,使产品的成品率提高了7%.2原理2.1TFT阵列基板的制造工艺简述TFT阵列基板的制造工艺经过多年的研究开发,已从最开始实用量产的七次光刻工艺过渡到现在被普遍采用的五次光刻工艺.具体的工艺有很多变种,但大体上可分为以下几类,见表1.2_2lTO返修工艺
7、从表1可知,lTO象素电极的制作工序分为两类:第一类是在数据线金属成膜之前就做出象素电极;第二类是在最后一次光刻中形成象素电极.与第一类工艺设计相比,第二类工艺设计由于lTO与数据线金属之间有钝化层相隔,不易出现象素与数据线间短路造成点缺陷的情况,所以合格率明显提高,同时,目前液晶显示模块普遍采用COG工艺,将象素电极放在最后制作有利于将压接电极面积扩大,并能够将多个过孔用导电良好的ITO连接在一起,因此在最后制作象素电极的工艺成为五次光刻的主
