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时间:2020-09-25
《TFT-LCD制造工艺说课材料.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、SUSTTFT液晶显示器制造工艺张方辉2005.7ColorFilterFabricationProcessTFTArrayProcessLiquidCrystalCellProcessModuleAssemblyProcessTFT-LCDProcessC/F的结构放大彩色濾光膜C/FProcessC/FPixelArray马赛克式直条式三角形式四画素马赛克式::显示AV动态画面直条式:较常显示文字画面,(NoteBook)。彩色濾光膜製造技術黑紋(BM)製程技術Cr/CrOx製程技術感光樹脂製程技術
2、各製程技術之比較彩色層製程技術顏料分散法電著法染色法印刷法各製程技術之比較黑紋製程Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗佈曝光顯影蝕刻剝膜UV光源光罩黑紋製程感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影黑紋製程黑紋製程技術比較彩色層製程顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆製程1-3三色形成光罩著色光阻黑紋[BM]玻璃基板彩色層製程電著法析出機構2H2O→2OH1-+2H++2e-2OH1-→H2O+O1-2O1→O2↑-COO-+H+→-COOH(a)陰離子型電著機構
3、示意圖析出機構2H2O→2e-+2OH-+2H+2H-→H2↑-NR2+OH-→-NR2+H2O(b)陽離子型電著機構示意圖彩色層製程電著法製程2.顯影光阻ITO玻璃基板1.曝光3.蝕刻、剝膜4.電著光罩ITO電極5.G,B重覆三色形成GRBGRBRRGBGB導電膠遮避層ITO導線電著後之ITO導線(a)直條狀排列(b)馬賽克排列彩色層製程電著法--電著示意圖彩色層製程染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋[BM]玻璃基板3.顯像5.染色.重覆1~5製程三色形成彩色層製程技術印刷法1.Blanket轉動
4、Blanket油墨.油墨轉印至Blanket3.油墨印刷至玻璃基板4.三色形成黑紋玻璃基板G,B重覆PossibleDefectsOnC/FParticlesPatternDefectsPinholesTokkiMixedColorMuraITO透明导电层的作用ARRAY制程(1)六道光罩:GE-SE-PE-CH-SD-DC(2)五道光罩:GE-SE-SD-CH-PETFTArray組成材料(六道光罩)MASK1-GEGate電極CrMASK3-PE畫素電極ITOMASK5-SDSource/Drain
5、電極Cr/Al/CrMASK2-SE通道與電極之接觸介面(n+)a-Si:HMASK2-SEChannel(通道)(i)a-Si:HMASK2-SEGI層(Gate絕緣層)SiNxMASK6-DC保護層SiNxMASK4-CHContacthole21Mask1:GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨SPC(島田)2.濺鍍Cr(4000A)ULVAC/AKT3.成膜前洗淨SPC/芝蒲4.UV處理東芝5.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon6.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi7.硬烤光洋
6、8.CrTaper蝕刻(WET)DNS9.光阻去除DNS10.製程完成檢查KLA/ORBOAA’22Mask2:SE(島狀半導體形成)AA’AA’1.成膜前洗淨SPC/芝蒲2.成膜SiNxBarlzers3.成膜前洗淨SPC/芝蒲4.成膜SiNx/a-Si/n+SiBarlzers5.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon6.顯影檢查Nikon/Hitachi7.蝕刻(DRY)TEL/PSC8.光阻去除DNS9.製程完成檢查KLA/ORBO23Mask3:PE(畫素電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨S
7、PC/芝蒲2.成膜ITOULVAC3.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi5.蝕刻(WET)DNS6.光阻去除DNS7.製程完成檢查KLA/ORBO24Mask4:CH(ContactHole形成)1.Array6道Mask工程中唯一沒有成膜製程2.蝕刻GI層(SiNx),定義出不同層金屬間的連接區AA’AA’1.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon2.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi3.蝕刻(DRY)TEL/PSC4.光阻去除DNS5.製
8、程完成檢查KLA/ORBO25Mask5:SD(Source及Drain電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨SPC/芝蒲2.成膜Cr/Al/CrULVAC/AKT3.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi5.蝕刻上層Cr(WET)DNS6.硬烤光洋7.蝕刻Al(WET)DNS8.硬烤光洋9.蝕刻下層Cr(WET)DNS10.蝕刻n+Si(DRY)TEL/PSC11.光阻去除DNS12.製程完成
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