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1、SiTFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究林鸿涛,刘伟:a—siTFTr—LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究文章编号:1006--6268(2006)08—0024—05a—SiTFT—LCD制造工艺中的-TO返修工艺研究林鸿涛1,2j刘伟(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130021;2.吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033)摘要:列举了不同的a-SiTFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺,详细分析了在五次光刻工艺中的电化学腐蚀问题的反应机理,并对各种返修工艺的优点和缺点进行了简要地说明.关键词:a-SiTFT-LCD制造工
2、艺;电化学腐蚀;反应机理;氧化锡铟;返修工艺中图分类号:TN141.9文献标识码:BTheTechniquesoftheITOReworkinthea-SiTFT—LCDProducingProcessesLINHong-tao'..,LIUWei(1.ChangchunOpticalPrecisionEngineering&PhysicsInstitute,J.1inChangchun130021,China;2.JilinNodhColor-CryslalDigital-ElectronCO.,Ltd,JilinChangchun130033,China)A
3、bstract:InthispaperthetechniquesoftheITOreworkinthevariousa-SiTFT—LCDproducingprocessesareenumerated,andtheprincipleofthereactionoftheelectrochemicalcorrosioninthefivemask.Sphotoengravingprocessesisdetailed,atthesametimetheadvantagesandthedisadVantagesofthedifferenttechniquesofthereworka
4、realsoexplainedtothepoint.Keywords:a-SiTFT—LCDproducingprocess;electrochemicalcorrosion:principleofthereaction;ITO;techniquesoftherework.1引言a-SiTFT—LCD是当今平板显示的主流产品,其阵列基板的制造工序多,工艺复杂,技术难度大,制造成本高.在不降低产品的质量和性能的前提下,如何在制造过程中通过返修来提高产品的合格率,减少不合格品数量,降低材料的消耗,一直是TFT—LCD生产厂商所关注的问题.ITO象素图形是TFT阵列基板的重要
5、组成部分,象素面积的大小以及相对于栅线,数据线的对位精度,对整个显示器件的影响很大.但实际生产中,不可避免地会发生一些不良或异常,例如ITO膜质异常导致刻蚀速率过快,使象素图形面积变小,进而改变了存储电容的大小;ITO对位偏差等等.这些不良都需要得到纠正才24现代显示Adva眦edDisplayAug2006收稿日期:2006—03—21林鸿涛,刘伟:a—siTFTr—LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究能成为合格品.尤其是近年来随着五次光刻工艺被普遍采用,m象素电极是在最后一次光刻中形成的,如果因为出现不良而废弃,则意味着以前五次光刻的各种消耗全部都要报废.所以在实际
6、生产中,应该依靠妥善的ITO返修工艺来提高成品率.传统的ITO返修工艺是建立在七次光刻的阵列工艺基础上的.五次光刻工艺的研究和开发使lTO返修工艺的研究也迫在眉睫.对于五次光刻工艺下的ITO返修工艺,相关的报导很少.但原有的lTO返修工艺由于可能存在严重的电化学腐蚀,因而不再适用.本文对五次光刻工艺下如何使用原七次光刻工艺中的ITO返修工艺导致的电化学腐蚀的原理进行了阐述,并提出了五次光刻工艺下合理的ITO返修工艺,使产品的成品率提高了7%.2原理2.1TFT阵列基板的制造工艺简述TFT阵列基板的制造工艺经过多年的研究开发,已从最开始实用量产的七次光刻工艺过渡到现在被普
7、遍采用的五次光刻工艺.具体的工艺有很多变种,但大体上可分为以下几类,见表1.2_2lTO返修工艺从表1可知,lTO象素电极的制作工序分为两类:第一类是在数据线金属成膜之前就做出象素电极;第二类是在最后一次光刻中形成象素电极.与第一类工艺设计相比,第二类工艺设计由于lTO与数据线金属之间有钝化层相隔,不易出现象素与数据线间短路造成点缺陷的情况,所以合格率明显提高,同时,目前液晶显示模块普遍采用COG工艺,将象素电极放在最后制作有利于将压接电极面积扩大,并能够将多个过孔用导电良好的ITO连接在一起,因此在最后制作象素电极的工艺成为五次光刻的主
