ddr内存现代的认识

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1、一：845DFSB400，DDR266，AGP4X845EFSB533，DDR266，AGP4X845PEFSB533，DDR333，AGP4X848PFSB800，DDR400，AGP8X，单通道865PEFSB800，DDR400，AGP8X，双通道915FSB800，DDR400，PCIE，双通道945FSB800，DDR2533，PCIE，双通道965FSB1066，DDR2667，PCIE，双通道这些是Intel芯片组所对应的前端总线和内存类型,我也是刚学到的如果LZ是想知道如何通过内

2、存颗粒上的编号识别内存信息的话,最好自己去网上搜搜,恐怕不是一句话两句话能说的清的二：如何通过颗粒编号，识别当今现代（1）、DDRSDRAM：我们以新近上市的现代DDR500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDRSDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOPII结构。究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代D

3、DRSDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。HYNIXDDRSDRAM颗粒编号：HYXXXXXXXXXXXXXX-XXX123456789-1314101112整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2．内存芯片类型：（5D=DDRSDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ

4、=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8VS：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2bank；2＝4bank；3＝8bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；

5、3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333

6、；M＝DDR3332-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40-85度）；E=扩展温度（-25-85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200的工作频率），那么就算内存条上

7、贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。（2）、DDR2SDRAM：DDR2SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDRSDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDRSDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2SDRAM也并不是什么难事。HYNIXDDR2SDRAM颗粒编号：HYXXXXXXXXXX

8、XXX-XXX1234567891012-1314细心的读者可以从上表发现区别，现代DDR2SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDRSDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）2．内存芯片类型：（5P=DDR2SDRAM）3．处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（保留