内存芯片的大小ddr.doc

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1、窗体底端教你如何分辨一片内存芯片的大小不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：DDRSDRAM：HYNIXDDRSDRAM颗粒编号：HYXXXXXXXXXXXXXX-XXX123456789101112-1314整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2．内存芯片类型：（5D=DDRSDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5

2、V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2bank；2＝4bank；3＝8bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL

3、_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR3332-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR

4、266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40-85度）；E=扩展温度（-25-85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位

5、。LGS的内存编码规则：GM72XXXXXXXXXXXXX1234567891011定义：1、GM代表LGS公司。2、72代表SDRAM。3、V代表3V电压。4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F。9、功耗：空白则是普通

6、，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）二、HY（现代HYUNDAI）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。HY的编码规则：HY5XXXXXXXXXXX－XXXX1234567891011定义：1、HY代表现代。2、一般是57，代表SDRAM。3、工艺：空白则是5V，V是3V。4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64

7、M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新。5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗。10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NS三、SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂

8、商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，