内存芯片分类.doc

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1、存储器分类简称：Cache标准：CacheMemory中文：高速缓存高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗

2、独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。简称：DDR标准：DoubleDateRate中文：双倍数据传输率DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。因为DDRSDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。DDRistheacronymforDoubleDataRateSynchronousDRAM(SDRAM).DDRSDRAMmemorytechnologyisanevolutionarytechnologyderivedfr

3、ommatureSDRAMtechnology.ThesecrettoDDRmemory'shighperformanceisitsabilitytoperformtwodataoperationsinoneclockcycle-providingtwicethethroughputofSDRAM简称：DIMM标准：DualinLineMemoryModule中文：双直列内存条DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168

4、条。DIMM可以分为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。简称：DRAM标准：DynamicRandomAccessMemory中文：动态随机存储器一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，

5、数据不会丢失。简称：ECC标准：ErrorCheckingandCorrection）在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改正。简称：EDODRAM标准：ExtendDataOutDynamicRandomAccessMemory中文：EDO动态随机存储器EDODRAM也称为HyperPageModeDRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取效能的存储器，为了提高EDODRAM的读取效率，EDODRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘，而EDODRAM的频宽由100个兆字节(

6、MB)增加到了200MB。简称：EEPROM标准：ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory中文：电子抹除式只读存储器非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。简称：EPROM标准：ErasableProgrammableRead-On

7、lyMemory中文：紫外擦除只读存器非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。这种存储器不支持再线修改数据。简称：Flash标准：Memory中文：闪烁存储器非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。简称：FeRAM标准：Ferroelectricrandomaccessmemor

8、y中文：铁电存储器ferroelectricrandomaccessmemory(FRAM)isanewgenerationofnonvolatile