固相球磨法制备丙烷氧化脱氢V2O5_NiO催化剂

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1、第30卷第1O期催化学报2009年l0月V_01．3ONo．1OChineseJournalofCatalysisOctober2009文章编号：0253．9837(2O09)10—0991-06研究论文：991～996固相球磨法制备丙烷氧化脱氢V2O5／NiO催化剂斯琴塔娜，徐爱菊，张宇，照日格图内蒙古师范大学化学与环境科学学院，内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室，内蒙古呼和浩特010022摘要：以不同温度焙烧制备的NiO和V2O5为前驱物，采用固相球磨法制备了v2O5／NiO催化剂，考察了前驱物的焙烧温度对该催化剂丙烷氧化脱氢制丙烯反应性能的影响，并采用

2、x射线衍射、N2物理吸附、电感耦合等离子体原子发射光谱、透射电子显微镜、H2程序升温还原和x射线光电子能谱等对催化剂进行了表征结果表明，固相球磨法制备的V2O5／NiO催化剂表现出较好的丙烷氧化脱氢制丙烯催化性能，当以400。C焙烧的氧化物为前驱体时，V2O5／NiO催化剂表面含有较多的未完全还原氧物种O因而表现出了较高的丙烯选择性．在475。C反应时，丙烷转化率可达20．1％，丙烯选择性达到71．2％．关键词：球磨：五氧化钒；氧化镍；丙烷；氧化脱氢中图分类号：0643文献标识码：APreparationofV2Os／NiOCatalystsbySolidPhas

3、eBallMillingforOxidativeDehydr0genati0nofPropaneSIQINTANAB，XUAiju，ZHANGYu，ZHAORIGETUBCollegeofChem~tryandEnvironmentalScience,InnerMongoliaKeyLaboratoryforPhysicsandChemistryofFunctionalMaterialsInnerMongoliaNormalUniversity,HohhotO10022,InnerMongolia,ChinaAbstract：V2Os／NiOcatalystswe

4、repreparedbyasolidphaseballmillingmethodusingNiOandV2O5calcinedatdiferenttemperaturesasprecursors．TheinfluenceofprecursorcalcinationtemperatureonthecatalyticperformanceoftheV2Os／NiOcatalystsforoxidativedehydro—genationofpropanetopropenewasinvestigated．ThecatalystswerecharacterizedbyX—

5、raydiffraction，nitrogenphysisorption，induc—tively—coupledplasmaatomicemissionspectroscopy,transmissionelectronmicroscopy,hydrogentemperature—programmedreduction，andX—rayphotoelectronspectroscopy．TheresultsshowedthatthepreraredV2Os／NiOcatalystsexhibitedbe~ercatalyticperformanceandtheca

6、talystobtainedfromtheprecursorcalcinedat400。Cexhibitedhighselectivityforpropene，whichisduetotheirmorenoncompletereduc—tionoxygenspeciesOexistedonthesurfaceofV2Os／NiO．At475。C．20．1％ofC3H8conversionand71．2％ofC3H6selectivitywereob—servedoverV2Os／NiOcatalystwhentheprecursorswerecalcinedat4

7、00oC．Keywords：ballmilling；vanadiumpentoxide；nickelmonoxide；propane；oxidativedehydrogenationNiO是良好的低温低碳烷烃氧化脱氢制烯烃催关[5，6]．迄今，所研究的V2O5／NiO催化剂大多采用化剂llq】．钒的加入能显著提高NiO催化剂上丙烷浸渍法制备，通过改变Ni／V比和焙烧温度并选择适氧化脱氢生成丙烯的活性和选择性，该Ni．v—O催化宜的反应条件可进一步优化其催化性能f51．球磨法剂体系的原位电导分析表明[41，P型半导体氧化物较在制备非晶、准晶和纳米晶金属与合金方面已显

8、示n型半导