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1、部分阶梯埋氧SOI器件设计摘要目前，随着社会的不断进步，科学技术不断创新，物理学界的半导体技术也在日益更新，不断发展。众所周知，SiliconOnInsulator（简称SOI）高压集成电路中的核心器件，即SOI横向高压器件之所以在集成电路方面得以广泛利用，是由于其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点。因此，现如今许多国内外物理学家、学者都对SOI器件做出了一系列的研究。但迄今为止，SOI横向高压器件均采用SOI作为埋层，且实用SOI器件击穿电压也过低；同时，就SOI横向器件的电场分布和耐压解析模型而言，现有的模型仅针对具有均匀厚度埋氧层和均匀厚度漂移区的SOI器
2、件建立；而且，没有一个统一的理论来指导SOI横向高压器件的纵向耐压设计。本文以电荷对局域场的屏蔽和电场调制为指导理论，通过改变SOI器件中埋氧层形状，提出部分阶梯埋氧SOI新结构，该结构不仅提高了传统器件的横向耐压，更进一步提高了器件的纵向耐压。关键词：电场调制埋氧层击穿电压阶梯埋氧DesignofPartialSOIDevicewithStepBuriedOxideABSTRACTNow,withtheprogressofsociety,scienceandtechnologyinnovation,semiconductortechnologyphysicscommu
3、nityisalsoincreasinglyupdatedconstantlyevolving.Asweallknow,SiliconOnInsulator(referredtoasSOI)high-voltageintegratedcircuitcoredevices,SOIlateralhigh-voltagedevicesthatreasonbewidelyusedinintegratedcircuits,becauseofitshighspeed,lowpower,radiationhardnessandeaseofisolation,etc..Therefor
4、e,nowadaysmanydomesticandforeignphysicists,scholarshavemadeaseriesofSOIdevicesforresearch.Butsofar,SOISOIlateralhigh-voltagedevicesareusedastheburiedlayer,andpracticalSOIdevicebreakdownvoltageistoolow;Meanwhile,theelectricfielddistributionandpressureonSOIlateralanalyticalmodelofthedevice
5、,theexistingmodelsonlyforhavingburiedoxidelayerofuniformthicknessanduniformityofthethicknessofthedriftregionofSOIdevicesestablished;Moreover,thereisnosingletheorytoguidethedesignofverticalpressureSOIlateralhigh-voltagedevices.Inthispaper,thechargeofthelocalelectricfieldshieldingandguidan
6、ceofmodulationtheory,SOIdevicebychangingtheshapeoftheburiedoxidelayer,thestepportionoftheburiedoxideSOIproposednewstructure,whichnotonlyimprovesthelateralpressureoftheconventionaldevice,andfurtherimprovetheverticalpressureofthedevice.KeyWords:ElectricFieldModulationBuriedOxideLayerBreakd
7、ownVoltageStepBuriedOxide目录第一章绪论11.1SOI技术的概述11.2SOI高压器件的耐压技术的现状与发展11.2.1耐压模型的发展简介21.2.2横向耐压技术31.2.3纵向耐压技术41.3本论文的主要工作6第二章优化设计SOILDMOS的新技术72.1利用电场调制和电荷屏蔽效应优化设计器件的衬底终端技术72.1.1电场调制效应的衬底终端技术72.1.2电荷屏蔽效应的衬底终端技术82.1.3衬底终端技术与表面终端技术的对比82.2SOI器件的介质场增强技术（即ENDIF技术）102.3SOI器件的纵向场降低技术
