pd-soi器件低频噪声特性的研究

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1、暨南大学硕士学位论文题名（中英对照）：PD-SOI器件低频噪声特性的研究TheresearchesoflowfrequencynoiseonPD-SOIdevice作者姓名：王凯指导教师姓名及学位、职称：邓婉玲副教授学科、专业名称：通信与信息系统学位类型：科学学位论文提交日期：2016年论文答辩日期：2016年答辩委员会主席：论文评阅人：学位授予单位和日期：独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经

2、发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得暨南大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：签字日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解暨南大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权暨南大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解

3、密后适用本授权书）学位论文作者签名：导师签名：签字日期：年月日签字日期：年月日学位论文作者毕业后去向：工作单位：电话：通讯地址：邮编：暨南大学硕士学位论文摘要半导体器件是电子设备的重要组成部分，其质量的好坏、可靠性的高低影响着整个电子系统的稳定性。随着航空、航天、核电技术等方面的发展，半导体器件更多的需要在高温、高辐射的环境中工作。若电子系统出现差错，将造成巨大的经济损失甚至人员的伤亡。为保证半导体器件在高辐射环境中能有较高的可靠性，对其抗辐射能力和可靠性的筛选手段将是一个重要的课题。传统的方法就

4、是辐射-退火。这种方法是通过对同一批工艺下半导体器件进行抽样，然后进行辐照退火得到一个统计规律。然而这种方法花费大、周期长，且本身就有一定的不确定性。退火后的器件并不一定能恢复到初试性能，并有可能引入新的潜在缺陷。所以，利用低频噪声对半导体器件的可靠性表征是目前唯一对半导体器件无损伤的测试方法。本文以SOI器件为例，研究了半导体器件中低频噪声特性及参数提取。具体的研究内容如下：1.给出了半导体器件中的低频噪声与器件可靠性之间的关系，基于低频噪声的产生机理，通过相关的数学计算与分析，可提取相关的器件

5、参数。2.基于直接测量法，搭建了一套以Agilent1500为SMU单元，M9018A为频谱分析仪，Agilent4725A为滤波电路与放大单元的测试系统，该测试系统可用于任何半导体器件的低频噪声测量。3.基于部分耗尽结构绝缘体上硅器件，分析了该器件中的低频噪声特性，提取了前、背栅氧化层界面附近缺陷态数目及空间分布情况。考虑到接触电阻及寄生电容对低频噪声的影响，本文还考查了沟道长度对低频噪声的影响。基于电荷耦合效应，分析了背栅对前栅阈值电压、沟道电流、噪声功率谱的影响。综上所述，本文通过测量部分耗

6、尽结构绝缘体上硅器件低频噪声，并做出分析，提取了相关器件参数。其研究结果可为其他半导体器件中的低频噪声特性分析提供有力的支持。关键词：半导体器件；低频噪声；可靠性；缺陷态I暨南大学硕士学位论文AbstractSemiconductoristhemostimportantunitofallelectronicequipment.Itaffectstheperformanceofelectronicequipmentbyqualityandstability.Withthedevelopmentofa

7、viation,aerospaceandnucleartechnology,moreandmoresemiconductordevicesneedtoworkinhightemperatureandhighionizingradiationenvironment.Anydefectsindevicescouldcauseeconomiclosses,evenpersonalsafetyoftechnician.Inordertokeepthedevicesworkwellinionizingrad

8、iationenvironment,themethodstocharacterizethereliabilityandradiationresistanceinsemiconductorshavebecomeanimportantresearchaspect.Thetraditionalmethodsareradiationandannealing.Alsotheyaretime-consumingandexpensive.Inaddition,theperformanceofde