0.8um+soi高频互补双极工艺的器件设计

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1、分类号密级曩拟磊卷国袅森验耋硕士学位论文模拟集成电路国家重点实验室’叭上予7阻l磁j乙(题名与副题名)英文题目坠星盘匦匹Q￡盘丑堡签丛Q：墨丛堡Hig鱼至盟g丛盟曼Y≤≥24羔啦!曼蛩堕曼蛩0廷!￡Z旦i卫Q!堑!苎￡QQ曼曼墨!逛坠Q盟曼亟SQ!硕士研究生邋垂堕指导教师奎苤堡高丝墨猩竖趁塞盛垫整国窒重：量塞：坠室学科专业丝垫量鱼固签垫王堂论文提交日期论文评阅人竖亚到高丝三猩竖一主垫塞国至垒盟堡登高丝王猩监主垫塞团至垒堑答辩委员会主席遂垂竖邋盛鳌垫王登垫盘堂2008年04月20日独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取

2、得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得重麽邮电太堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名．粤跏易签字吼妒∥年‘月多日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解重底邮电太堂有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权重鏖邮电太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫

3、描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)揪姗弛再砂砂导燧名：奄锄一撕期：卅年⋯日蝴期：碲6月乡日嗍2Ⅲ8删6㈣4㈣2舢8¨¨¨i■■_舢Y重庆邮电大学硕士论文摘要互补双极技术凭借其高速、大电流驱动等优势一直受到模拟集成电路设计者的青睐。而随着微电子技术的应用越来越广泛，许多领域如射频放大器、A／D转换器等对抗辐射能力以及信号失真度的要求也越来越严格，这就驱使人们在工艺上自然而然地将高频互补双极技术与SOI全介质隔离工艺相结合。在国外，SOI高频互补双极工艺已相对成熟并且用于制造产品。但在国内的发展比较落后且对其进行专项

4、研究的机构并不多。本论文以中国电子科技集团第24研究所模拟集成电路国家重点实验室现有的比较稳定的互补双极工艺CBP2012为基础开展了亚微米SOI互补双极工艺的器件设计工作，具体内容如下：f首先，在深入分析互补双极技术及SOI工艺的理论基础上进行了器件的建模和工艺流程设计。器件结构设计采取SOI全介质隔离，横向尽可能缩小尺寸以减小寄生电容，纵向力求制作浅结和窄基区宽度；工艺上，根据器件模型的要求优化工艺流程，精确设计关键工艺参数，如发射区离子注入条件、基区离子注入条件、退火条件等。并利用Tsup础n4和Medici软件分别对工艺流程及器件电学参数进

5、行了仿真，根据仿真结果不断调整工艺参数、优化器件设计。其次，针对亚微米的SoI互补双极工艺开发制定了特征尺寸为O．8肛m的版图设计规则，分别设计了多种发射极长度的NPN晶体管和PNP晶体管的版图，以及用于参数测试的PCM和PEM版图。最后，根据仿真结果开展了流片实验。实验中先后采取了两种外延层厚度，根据不同的外延层厚度适当调整工艺参数，并分别对工艺完成后的晶体管进行了直流特性参数和交流特性参数的测试。测试结果表明直流参数基本达到设计要求，但特征频率厶仍需进一步提高。关键字：亚微米，SOI，互补双极，特征频率AbstractCornplementar

6、yBipolartechnolog)rh鹊alwaysbeenpopularfor锄alogICdesignersduet0itshi曲specdaIldgoodperfo咖anceoncurrentdrive．Wimmeboomingofme印plicationofmicroelec缸。oIlics，mally丘eldssetmore觚dmorerIllesontheradiationtoleraIlce锄dthesi印aldistortion，such器ⅡleradioamplifieraIld～DiIⅣerters，WtlichdriVesd

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