新型超低阻高压soi器件设计与工艺分析

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2、师指导下进行的研巧，及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加＾＾标注和致谢的地方外论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得一电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我碗的说明同工作的同志对本研巧所做的任何贡献均已在论文中作了明并表示谢意。Ｃ《。作者签名日期；年月日：茄聋聲／论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磯盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可臥将学位论文的全部或部分内容编、入有关数据库进

3、行检索，可臥采用影印、缩印或巧描等复制手段保存汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）作者签名；知？＾导师签名：舞。日期：谷年。＆月曰Ｉ分类号密级UDC注1学位论文新型超低阻高压SOI器件设计与工艺分析（题名和副题名）张彦辉（作者姓名）指导教师罗小蓉教授电子科技大学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期2016.04论文答辩日期2016.05.16学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号DESIGNANDPROCESSANAL

4、YSISOFNOVELSOIDEVICESWITHULTRA-LOWSPECIFICON-RESISTANCEANDHIGHVOLTAGEAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MicroelectronicsandSolid-StateElectronicsAuthor:YanhuiZhangSupervisor:Prof.XiaorongLuoSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectron

5、ics摘要摘要功率器件的核心问题是功耗问题。高压器件决定功耗的因素是器件的耐压和比导通电阻。常规超薄SOI器件能够改善器件耐压和比导通电阻的关系，但是其存在很严重的热点问题，会影响器件的可靠性。本文就此提出了两种新型超薄SOI功率器件。1、本文提出一种积累型超薄SOI（SiliconOnInsulator）LDMOS（LateralDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor）器件结构。该结构在漂移区表面添加了一个PNP场板，该场板分别于漏端和栅端电气相连。反向阻断时，场板辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度；正向导通时，器件漂移区表面形成电

6、子积累层，降低比导通电阻。电子积累层不仅降低了电阻，而且还消除了器件表面的热点问题。仿真结果表明，在保持相近耐压时，器件的比导通电阻降低为五分之一，为21.1mΩ∙cm2；相同功率下，器件表面最高温度降低了71K。最后，根据实际提供了两种工艺实现方法。2、本文提出一种具有背部刻蚀的积累型超薄SOILDMOS器件。该器件漂移区均匀掺杂，不仅具有积累型延伸栅，还采用了背部刻蚀技术。积累型延伸栅能够形成电子积累层，降低器件导通电阻，优化器件的表面温度分布；背部刻蚀技术不仅能够去除衬底辅助耗尽作用，消除器件的纵向耐压限制，而且还能提高器件的散热能力。仿真结果表明，器件的耐压达

7、到818V时，比导通电阻为38.1mΩ∙cm2，降低了70.2%。最后，为更好的实现器件的制造，本文提供了两种工艺方案。关键词：积累型场板，LDMOS，耐压，比导通电阻，温度。IABSTRACTABSTRACTPowerdeviceisusedinthewideyields,andthekeyissueisthepowerdissipation.Thedeterminantsarebreakdownvoltage(BV)andspecificOn-resistance(Ron,sp).Theconventionalultra-thinSOIdevic