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1、Chiponglass 工藝模組生產技朮課李文桃Bonding製程介紹及管理目錄Part1:COG制程介紹Part2:COG物料介紹＆管控Part3:COG制程管理規范Part4:COG制程監控Part1:COG制程介紹一、COG簡介1.COG是Chiponglass的簡寫，是目前LCM產品中比較高級的一種加工工藝。即在LCD上邦定一塊Chip（芯片）﹔2.COG制造工藝的目的：為液晶顯示屏LCD配上驅動電路部分，使其成為具備一定顯示功能的IC顯示模塊LCM﹔3.LCM(Liquidcrystaldisplaymodule的簡寫)：稱液晶顯示器模塊，是將LCD與控制、驅動電路和線路板PCB
2、裝配在一起的組件。Part1:COG制程介紹二、COG流程概述PANEL端子清潔擦試端子電漿機清洗ACFTapeACF貼附ICIC搭載(假壓)電測1(抽測)OM檢查IC壓著(本壓)COG檢查備注：此流程為COG工藝的大概流程，需根據產品的具體規格和標准制作生產!Part2:COG物料介紹＆管控一、IC(驅動模塊)a.IC是一種集成了許多復雜電路的芯片﹔b.IC的保存條件為：22℃±5℃&50±5%RH﹔c.不使用時需密封保存，因IC比較貴，需特別妥善保管﹔d.必須按制程規定的作業溫度、壓力等進行作業，以保証壓著品質﹔e.實壓計算公式如下：IC邦定實壓=1Bump面積*1Chip內Bump數
3、*ACF推力設定材料商型號ACF推力HITACHIAC-7106U2MpaSONYCP8830IH30〜40Mpa1Mpa≒10.2Kgf/cm²編碼IC供應商SPLCSunplus(凌陽)STSitronix(矽創)S6BSamsung(三星)SSDSolomon(所羅門)NTNovatek(聯詠)PCFPhiliph(飛利普)SEDEPSON(愛普生)編碼IC供應商ILI奕力HDHitachiSPFDOrise(旭曜)UCUltraChipHXHimaxISIsronHMHynixPart2:COG物料介紹＆管控BumpMaskInformation(ICbumpsize)ICType
4、ICSupplierICSize(um)Min.bump(um)Totalbumparea(um2)Pressure（Kgf)LengthWidthHighPitchSpaceArea40Mpa50Mpa60Mpa70Mpa80MpaILI9163BILITEK9,90067028016151,5681,579,3806.448.059.6711.2812.89ILI9221ILITEK17,2001,25040021202,2802,689,44010.9713.7216.4619.2021.95ILI9320ILITEK21,6801,25040020192,1003,376,0001
5、3.7717.2220.6624.1027.55ILI9322ILITEK22,09271240018181,8003,312,00013.5116.8920.2723.6527.03ILI9325ILITEK17,82087040016161,5682,602,72010.6213.2715.9318.5821.24ILI9326ILITEK21,55090640018181,9803,255,20013.2816.6019.9223.2426.56Part2:COG物料介紹＆管控ACFDATAsheet廠商SONYHITACHI型號CP3020F3CP34531-18ABAC8955Y
6、WAC8977YWAC823CYTg146℃154℃145℃149℃135℃Spec.thickness(um)厚度，密度um2418232320Particlesize粒子大小um3343.53Particledensity粒子密度55000/mm28.9Mpcs/mm337000/mm350000/mm36.1million/mm3KeySpec.Min.bumpareaum21100100015001200800Min.bumpspaceum1312NANA12Min.conductorspaceum10710107制程參考本壓溫度℃190150-180190-230190-2301
7、60-180本壓時間s55555本壓壓力Mpa60-8030-8040-12040-12030-80對應機種TFT/STNTFTTFT備註一般低溫低壓一般一般低溫低壓其他有離型膜有離型膜NANA無離型膜Part2:COG物料介紹＆管控材料名稱型號規格製造商管理標準CP32333H5厚度：18μm寬度：1.5mm長度：50m/100mParticleSize：3.0μmSonyACFCP3020F3厚度：24μm寬度：1.
