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时间:2020-09-11
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1、⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考试资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯浙江省2018年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340一、填空题(每小题2分,共20分)1.P型半导体中多数载流子为__________,少数载流子为__________。2.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时,其发射结__________,集电结__________。4.当某三极管VBE=0.7V,VCE=0.3V,则该
2、管工作在__________区,集电极电流和基极电流关系是__________。5.场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动;因而它又称做__________器件。6.在场效应管放大电路中,就VGS而言,__________型MOS管是单极性的,而__________型MOS管可以是双极性的。7.放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。8.在相同条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移__________,而直接耦合放大电路的零点漂移_________
3、_。9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________,共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。10.设计一个负反馈放大电路,要使输入电阻增大应引入__________型负反馈,若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共20分)1.杂质半导体中少数载流子浓度()。A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关C.与温
4、度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态,最简单的是测量()。A.IBB.VCEC.VBED.IC3.若三极管的发射极电流为1mA,基极电流为20μA,则集电极电流为()mA。A.0.98B.1.02C.1.2D.0.81⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考试资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯4.N沟道JFET管的电路符号为()。5.场效应管是()器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压6.在差动式放大电路中,共模输入
5、信号等于两个输入端信号的()。A.和值B.差值C.平均值D.乘积值7.由PNP管组成的共射放大电路,若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压,则可判断该三极管处于()。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态8.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流,应引入()负反馈。A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联9.共集电极电路信号从()。A.基极输入,集电极输出B.发射极输入,集电极输出C.基极输入,发射极输出D.发射极输入,基极输出10.集成运算放大电路的输入级通常采用()电
6、路。A.共集电极放大B.共发射极放大C.差动放大D.共基极放大三、简答题(每小题5分,共15分)1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。2⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考试资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯1w22.电路如图三(2)所示,已知MOS管的μnCox()=250μA/V,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS2l的值。3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性,请说明其属于何沟道、何
7、种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)3⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考试资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯四、分析计算题(每小题9分,共45分)1.电路如图四(1)所示,晶体管的β=80,rbe=1kΩ。(1)求出Q点;(2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的Au和Ri;(3)求出Ro。2.放大电路如图四(2)所示,T1管和T2管的β均为40,rbe均为3kΩ。试问:若输入直流信号uI1=20mv,uI2=1
8、0mv,则电路的共模输入电压uIC=?差模输入电压uId=?输出动态电压△uo=?4⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考试资料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯3.放大电路如图四(3)。要求:(1)指出级间反馈支路,判断其反馈类型;(2)按深度负反馈估算其闭环放大倍数;(3)说明输入电阻和输出电阻的变化趋势。4.电路如图四(4)所示,设图示电路中的运算放大器为理想的,电阻阻值在图中已标出。试写出Uo/Ui=?5⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯
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