浙江7月自考线性电子电路试题及答案解析.docx

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1、⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯浙江省2018年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。5.已知场效

2、应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式I=_______，当VGS=3V时，I=_______。DD6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结_______中的_______来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_______。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入____

3、___负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结反向工作时，其结电容主要是()。A.势垒电容B.扩散电容C.平板电容D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将()。A.增大B.减小C.不变D.近似不变3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?()A.小信号，管子处在饱和区B.大信号，管子处在放大区C.小信号，管子处在放大区D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管

4、的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于()。A.100B.150C.200D.3005.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是()。A.VGS>VGS(th),VDS>V-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th)D.VGS

5、饱和B.截止C.非饱和D.击穿7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的()。A.和值B.差值C.迭加D.平均值8.多级放大电路放大倍数的波特图是()。A.各级波特图的叠加B.各级波特图的乘积C.各级波特图中通频带最窄者D.各级波特图中通频带最宽者9.负反馈放大电路不自激的条件是()。A.T(0),T(0)1B.T(0),T(0)1C.T(0),T(0)1D.T(0),T(0)110.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?()A.0.01B.0.05C.0.09D.0.10三、简答题(每小题5分，共15分)1.如图三(1)所示电路

6、中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～vi的关系曲线)，并写出分析过程。2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，n=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。2⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯精品自学考料推荐⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的β=50,γbb′=0Ω，电容对交流短路，γb′

7、e=5.2kΩ，γce忽略不计。试求：(1)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻R0；(2)电压增益Av和源电压增益Avs.2.图四(2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知gm=2ms，RL=10kΩ，求：(1)差模电压增益Avd；(2)共模电压增益Avc，共模抑制比KCMR.3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v