SiC粉体的微观差异性及其浆料的流变性质.pdf

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1、第19卷第2期VOI．19No．22013年4月祭№中m国粥粉洲体泓技M奉甜№删Apr．2013doi：10．3969，j．issn．1008—5548．2013．02．013SiC粉体的微观差异性及其浆料的流变性质宋丽岑，潘燕飞，刘惠涛，高原(烟台大学化学化工学院，山东烟台264005)摘要：选取国内外2种不同的SiC粉体，通过X射线衍射、能谱、透射电起来的胶态成型方法被认为是高性能结构陶瓷走向镜和担度分布等测试方法对其组成、晶型、粒度及表面性质进行研究。产业化的关键技术而受到广泛关注，但前提是必须制结果表明，2种粉体的化学组成、微观结构几

2、乎一致，但棠抖的流变性备出高固相含量(体积分数大于50％)、低黏度的均匀质匈存在显著性的差异；用国外粉体可牵l备出固相体积分数高迭55％稳定的陶瓷浆料Ⅲ。表面处理或表面改性是提高粉体的低黏度稳定浆料。而国产粉体可形成最高固相体积分数为40％的浆料。且出现剪切变稠现象；粉体表面性质的微观差异性是导致浆井流变分散性能、制备高固相含量浆料的有效途径【21。为此很性质不同的主要原因。多研究者采用物理、化学或机械的方法对粉体表面进关键词：SiC粉体；表面性质；流变性质；固相含量行处理，提高陶瓷浆料的固相含量。粉体表面杂质离子中圈分类号：TB383文献标

3、志码：A的去除嗍、分散剂处理[6-9]、有机包覆改性o¨31等方法被文章编号：1008—5548(2013)02—0052—05广泛研究，但其效果还无法使国产SiC粉体达到实际应用水平；而国外高品质SiC粉体通过简单的pH调节MicroscopicDifferenceofSilicon就可获得固相体积分数高达55％的稳定浆料。本文中CarbidePowdersandRheological选取国内外2种不同的SiC粉体，通过X射线衍射、能PropertiesofTheirSlurries谱、透射电镜和粒度分布等测试方法对其组成、晶型、粒度及表面

4、性质进行系统研究，分析其存在的微观差SONGLicen，PANYantii，LIUHuitao，GA0Yuan异性对浆料流变特性产生的影响，为SiC粉体表面处(ChemistryandChemicalEngineeringCollege，理和修饰提供实验数据和理论借鉴。YantaiUniversity，Yantai264005，China)1实验部分Abstract：Composition，crystalform。particlesizeandsIl—kepropertiesoftheimportedanddomesticsiliconcar

5、bidepowderswerecharacterized1。1实验原料byXRD，EDS，TEMandparticlesizetest．Theresultsshowthattwo实验中所用的2种SiC粉体分别编号为SiC一01、kindshavesimilarcompositionandstructure．ButofpowdersmicroscopicSiC—02，其中SiC—01粉体，法国Saint—Gobain公司生theirslurriesshowdifferentobviouslyrheologicalproperties．Theim

6、ported产；SiC一02粉体，山东某碳化硅公司生产。氨水，分析samplesc柚obtainstablesuspensionwithsolidvolumefractionof55％withlowviscosity．whilethesolidvolumefractionofthedomestic纯试剂。largestpowdersis40％whichappearsshearthickeningphenomenon．Microscopic1．2分析测试differenceofsurfacepropertiesresultsindifferen

7、ttheologicalpropertiesof采用BT一9300H型激光粒度分布仪(辽宁丹东slurries．百特仪器有限公司)和动态光散射仪(美国布鲁克海Keywords：siliconcarbidepowders；surfaceproperty；rheological文仪器公司)测定SiC粉体的粒径分布和颗粒聚集property；solidcontent状况；采用XRD一7000型X射线衍射仪(XRD，日本SiC陶瓷因其独特的力学性能在高温结构领域，岛津公司)测定SiC粉体的结晶状况；采用S-4800尤其在高科技领域得到了越来越广泛的应

8、用，但材料型高分辨率扫描电镜(SEM，13本日立公司)和能谱可靠性较低的问题制约了其更好的发展。近几年发展仪(EDS)分析SiC粉体中C、Si、O元素比；采用兀阻一