3、.....20世纪70年代发展起来的ESK法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β-SiC粉的新设备。LN.Satapathy等以Si+2C为起始反应物,采用2.45GHz的微波在1200-1300℃时保温5分钟即可实现完全反应,再通过650℃除碳即可获得纯的β-SiC,其平均粒径约0.4μm。硅碳直接反应法又包括自蔓延高温合成法(SHS)和机械合金化法。SHS还原合成法利用SiO2与Mg之间的放热反应来弥补热量的不足,该方法得到的SiC粉末纯度高,粒度小,但需要酸洗等后续工序除去产物中的Mg。杨晓云等[4]将Si 粉与C 粉按照 n