利用晶硅切割废砂浆制备 SiC 粉体-论文.pdf

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1、·96·材料导报B:研究篇2015年6月(下)第29卷第6期利用晶硅切割废砂浆制备SiC粉体杨昱桢,向道平,何雨翔(海南大学材料与化工学院,热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228)摘要以光伏产业晶硅切割废砂浆为主要原料,通过真空碳化法制备了SiC粉末。在通过物理和化学方法测定废砂浆组分含量的基础上,确定了初始原料si/c配比。随后,利用XRD和SEM分别研究了真空热处理温度、无机碳源种类等对所制备粉末的物相和组织的影响,产物粉末的粒径分布范围通过激光粒度仪测试。研究表明,在900~I100℃温度范围,随着反应温度的升高,硅粉与活性炭

2、的碳化反应越来越完全,并在I100℃完全生成了SiC粉末。继续升温,X射线衍射峰的强度逐渐升高,SiC产物粉末的粒度越来越大。此外,不同碳源在相同条件的碳化反应结果表明,活性炭作为碳源比石墨效果更佳。关键词晶硅废砂浆真空碳化SiC粉末XRDSEM中图分类号:TB321文献标识码:ADOI:10.11896/j.issn.1005—023X.2015.12.021PreparationofSiCPowderfromCrystallineSiliconCuttingWasteMortarYANGYuzhen,XIANGDaoping,HEYuxiang

3、(KeyLaboratoryofAdvancedMaterialsofTropicalIslandResourcesofMinistryofEducation,CollegeofMaterialandChemicalEngineering,HainanUniversity,Haikou570228)AbstractSiCpowderwaspreparedfromcrystallinesiliconcuttingwastemortarinphotovoltaicindustrybythemethodofvacuumcarbonization.Thep

4、roportionofSi/Cwasdeterminedonthebasisoftestresultofcomponentscon—tentinwastemortarbyphysicalandchemica1methods.Afterthat,theinfluencesofvacuumheattreatmenttempera—ture,inorganiccarbonsourcetypesonthephaseandstructureofthepowderwerestudiedbyusingXRDandSEM.Particlesizedistribut

5、ionwastestedbylaserparticlesizeinstrument.Researchesshowedthat,withtheincreaseofcar—bonizationtemperatureintherangeof9OO一1100℃,thereactionofSiandactivatedcarbongraduallyprogressed,andcompletelyreactedat1100℃.Whenthetemperaturecontinuedtoberaised,X-raydiffractionpeakintensitygr

6、aduallyincreased,andparticlesizeofSiCpowderrose.Inaddition,carbonizationreactionwithdifferentcarbonsourcesunderthesameconditionsinferredthatactivatedcarbonactedbetterasacarbonsourcethangraphite.Keywordscrystallinesiliconwastemortar,vacuumcarbonization,SiCpowder,XRD,SEM分离难度很大,传

7、统方法的回收效率很低,其中化学方法还0引言除去了价值更高的Si,这样不仅不能将废料中有价值的部分太阳能产业的发展不仅给人类带来了巨大的便利,也为充分利用,而且因为耗费了大量酸碱等资源而得不偿失。可持续发展提供了动力,然而在科技发展的背后,也造成了SiC是重要的特种陶瓷原料,在工业生产中应用广泛,把不可忽视的环境污染。晶硅太阳能电池切割过程中会产生晶硅切割废砂浆“变废为宝”,从中提纯制备SiC粉体意义重由高纯Si、SiC、聚乙二醇、金属等组成的废砂浆,一般都会被大。本工作介绍了一种方法来简化晶硅切割废砂浆传统回低价处理,如果将这些切割废料回收利用则可

8、以提高资源利收工艺中对Si与SiC分别提取的复杂过程,且使得晶硅切割用率、减少环境污染]。废砂浆能够直接制备SiC。该方法

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