纳米sic粉体的制备及nipsic纳米化学复合镀研究

《纳米sic粉体的制备及nipsic纳米化学复合镀研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、摘要摘要以工业SiC粉末为原料，用高能球磨机制备了SiC纳米粉。用PhilipsXL30FEG型扫描电镜、Y一4A型x射线衍射仪对球磨后的粉末进行了形貌观察和相结构分析，统计了SiC粉体尺寸随球磨时间的变化规律。结果表明：随着时间的延长，粉末逐渐细化至纳米级，可以细化到30nm左右，但球磨时间超过25h后粉末颗粒继续细化的速度明显放慢，并且在球磨的过程因为晶粒细化和晶粒内部发生了严重的晶格畸变，纳米粉体x射线衍射峰产生严重宽化。采用稀土作为添加剂，利用高能球磨机球磨微米尺寸Si、c的混合粉体使其合成纳米尺寸的SiC，利用扫描电镜

2、观察经球磨后的粉体形貌，用Y一4A型x射线衍射仪对球磨后的粉体进行物相分析。结果表明：添加一定量的稀土可促进SiC的合成并加快粉体的细化过程。在化学镀Ni-P工艺基础上添加不同浓度的纳米尺寸的SiC粒子，制备出纳米结构的涂层，探讨SiC纳米粒子及其浓度对镀速、复合镀层性能等的影响。利用XJP．2型金相显微镜观察镀层组织并测其厚度，PhilipsXL30FEG型扫描电镜观测镀层表面的组织形貌，镀层与基体的结合力采用WS一92型声发涂层附着力划痕试验和弯折法两种方法来定性地检测。MVK．H3型显微硬度计测镀层硬度，镀层的晶化过程采用

3、DSC．TGA热重分析仪进行的，在MPX--2000摩擦磨损试验机上进行滑动磨损试验，PhilipsXL30FEG型扫描电镜观测镀层磨损后的形貌。结果表明：添加适量的SiC纳米粒子，镀速和镀层硬度都有显著的提高，当镀液中纳米碳化硅的浓度是4．5∥L时，镀速可达到68．4pin／h；当镀液中碳化硅的浓度是3．59／L时，退火后镀层硬度可达到1650HV。镀层的晶化过程缓慢，Ni3P析出峰延迟到530。C左右。镀层的耐磨性能也有显著的提高，从磨损失重曲线上看，纳米复合镀层明显优于Ni．P合金镀层和微米碳化硅复合镀层。关键词：高能球磨

4、；机械合金化；纳米粉体；Ni—P—SiC(纳米)化学复合镀三至三些奎兰三兰堡当兰堡兰圣ABSTRACTThenanometerpowderofSiCWaSpreparationbytwodifferentways．oneisthatthemicrometerSiCpowderWaSdirectlymilledtonanometersizegrain，anotheristhatthemixedpowderofmicrometerSiandCwithrareearthWaSmilledtosythesizethenanometerS

5、iCbyMA(MachineAlloying)．NamometersiliconcarbidepowderWaSprepared舶mindustrialsiliconcarbidebyllighenergyballmilling．ThenthemorphologyandthephaSestructureofthemilledpowderwereinspectedbyy-4AXRDandPhilipsXL30FEGSEM．，thevariationalrulesofmilledSiCpowdersizeweredetermined

6、．Experimentalresultsshowthatthegrainsweregraduallytrituratedtonamometersizewitllmillingtimeandthegrainsizemightbe30rimorso，butthegrainsizewasnotdecreaSingafterthepowderhaSbeenmilledfor25hours．Thenano—sizedSiCWaSsynthesizedbyballmillingofSiandCmixedpowderswhichrareear

7、thsasaadditivewasaddedto．AndthemorphologyandthephasestructureofthemilledpowderwereinspectedbyPhilipsXL30FEGSEMandY一4AXRD．Theresultsrevealedthat：byaddingsomerareP坩thstothemixtureofSiandCpowders，therateofsynthesizingSiCincreaSedandthegrindingratequickened．OnthebaSisoft

8、hetechnologyofgeneralNi—Pelectrolesscoating,differentquantityofnanometerSiCpowderWaSputintoNi—Psolutiontopreparethenanostructurecoa