基于氧化物的异质结器件的制备及特性研究.pdf

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1、制备及特性研究haraeteristics0I-●‘pasedonoxides作者姓名梁金学位类型堂压亟±学科专业邀电王堂皇固佳电王堂研究方向坐昱佳挝料生墨佳导师及职称：梁壶副教援2011年4月⋯：尊寸拟烈玩『

2、J『『删肼94究成果。据或撰写过的使用过的材明并表示谢本学位论文作者完全了解金目垦王些太堂有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅或借阅。本人授权—剑巴王些太堂可以将学位论文的全部或部分论文内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文·(保密的学位论文在解密后适用本授权书

3、)学位论文者签名：强曼导师签名：糕签字日期：圳＼年归西日签字日期：弘11年。月2汨学位论文作者毕业后去向：：r作单位：通讯地址：电话：邮编：基于氧化物的异质结器件的制备及特性研究摘要异质结是由两种不同半导体材料形成的结，具有很多同质结所没有的优良特性，近年来利用异质结制作电子器件受到很大重视，而基于金属氧化物的异质结器件的研究成为当前研究的热点。ZnO和NiO作为具有代表性的光电薄膜材料，受到了极大关注。本文利用脉冲激光沉积(PLD)法，制备了优良的ZnO、NiO薄膜，并对基于ZnO、NiO的异质结器件的制备及器件的特性进行了研究。首先，我们利用脉冲激光沉积法在Si衬底上

4、，在不同衬底温度、氧压等条件下制备了一系列ZnO和NiO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等表征手段，对在不同工艺条件下制备的ZnO、NiO薄膜样品进行表征分析，得到了制备高质量薄膜的最佳工艺条件。之后，我们利用PLD法制备了n．ZnO／p．Si异质结和P．NiO／n．Si异质结，P区和n区均利用电子束沉积的方法制备了电极，通过XRD、AFM对所制备的异质结进行表征，并利用半导体参数测试仪对异质结器件的伏安特性(I．V)进行了测试，I．V特性曲线表明，异质结均表现出良好的整流特性，n．ZnO／p．Si异质结具有明显的光伏特性，P．NiO／n．Si异质结

5、具有一定的光电响应特性。我们还利用PLD法制备了CU2ZnSnS4(CZTS)薄膜，并制备了P．Cu2ZnSnS4／n．Si异质结和基于ZnO基础上的p．Cu2ZnSnS4／n．ZnO异质结，并沉积了电极，通过XRD、AFM对异质结进行表征，研究了异质结器件的伏安特性，结果表明，所制备的异质结器件具有良好的整流特性和一定的光电特性。关键词；脉冲激光沉积；异质结；ZnO；NiO：Cu2ZnSnS4sticsofheterojunctionidesHeterojunctioniSformedbytwodifferentkindsofsemiconductormaterial．

6、Ithasmanygoodcharacteristicswhichhomojunctiondoesn’thave，SOthefabricationofelectricaldevicesmadeofheterojunctionattractsmuchattention．Thestudyonheterojunctiondevicesbasedonmetaloxidesbecomesthehotspot．Zn0andNiOattractmuchattentionastwotypicalphotoelectricthinfilms．Inthisthesis，wepreparedh

7、igh-qualityZnOandNiOthinfilmsbypulsedlaserdeposition(PLD)．WedidtheresearchonthefabricationofheterojunctiondevicesbasedonZnOorNi0andinvestigatedthecharacteristicsofthedevices．First．aPLDsystemwasusedtoprepareaseriesofZnOandNi0thin。filmsonSisubstratesunderdifferentconditionssuchassubstratete

8、mperature，oxygenpressure，etc．ThefilmssampleswerecharacterizedbyXRD，AFM，ere．Theoptimumpreparationparametersofhigh-qualityfilmswereobtained．Then，Wepreparedn-ZnO／p-Siheterojunctionandp-NiO／n-SiheterojunctionbyPLD．Afterdepositionofelectrodesbyelectronbeamevaporation，the