士兰微SVF2N60规格书(最新版).pdf

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1、SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书2A、600VN沟道增强型场效应管描述SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN沟道增强型高压功率MOS场效应TM晶体管采用士兰微电子的F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点∗2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V∗低栅极电荷量∗低反向传输电容∗开关速度快∗提升了dv

2、/dt能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装形式SVF2N60MTO-251D-3LSVF2N60M无铅料管SVF2N60MJTO-251J-3LSVF2N60MJ无铅料管SVF2N60NTO-126-3LSVF2N60N无铅袋装SVF2N60FTO-220F-3LSVF2N60F无铅料管SVF2N60TTO-220-3LSVF2N60T无铅料管SVF2N60DTO-252-2LSVF2N60D无铅料管SVF2N60DTRTO-252-2LSVF2N60D无铅编带版本号：1.42011.11.16共11页

3、第1页SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围参数名称符号SVF2NSVF2NSVF2NSVF2NSVF2N单位60M/D60MJ60N60T60F漏源电压VDS600V栅源电压VGS±30VTC=25°C2.0漏极电流IDATC=100°C1.3漏极脉冲电流IDM8.0A耗散功率(TC=25°C)3435304423WPD-大于25°C每摄氏度减少0.270.280.240.350.18W/°C单脉冲雪崩能量(注1)EAS115mJ工作结温范围TJ-55～+150°C贮

4、存温度范围Tstg-55～+150°C热阻特性参数范围参数名称符号单位SVF2N60M/DSVF2N60MJSVF2N60NSVF2N60TSVF2N60F芯片对管壳热阻RθJC3.73.574.172.865.56°C/W芯片对环境的热阻RθJA11011062.562.5120°C/W电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSBVGS=0V，ID=250µA600----V漏源漏电流IDSSVDS=600V，VGS=0V----1.0µA栅源漏电流IGSSVGS

5、=±30V，VDS=0V----±100nA栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=1.0A--3.74.2Ω输入电容Ciss--250.1--VDS=25V，VGS=0V，输出电容Coss--35.7--pFf=1.0MHz反向传输电容Crss--1.1--开启延迟时间td(on)VDD=300V，ID=2.0A，--9.2--开启上升时间trRG=25Ω--23.4--ns关断延迟时间td(off)--15.3--关断下降时间tf(注2，3

6、)--20.1--栅极电荷量QgVDS=480V，ID=2.0A，--5.67--栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--1.74--nC栅极-漏极电荷量Qgd(注2，3)--1.99--版本号：1.42011.11.16共11页第2页SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书源-漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的----2.0A源极脉冲电流ISM反偏P-N结----8.0源-漏二极管压降VSDIS=2.0A，VGS=0V----1.4V反向恢复时间TrrIS=2

7、.0A，VGS=0V，--230--ns反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µS--1.0--µC注：1.L=30mH，IAS=2.52A，VDD=145V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3.基本上不受工作温度的影响。典型特性曲线版本号：1.42011.11.16共11页第3页SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书典型特性曲线（续）图5.电容特性图6.电荷量特性60012Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)VDS=120VCoss=Cds+

8、Cgd500Crss=Cgd10VDS=300V）VDS=480VV4008（）GSpF300VCiss6Coss电容（200注：Crss41.VGS=0V2.f=1MHz栅源电压–1002注：ID=2.0A000.11101000123456漏源电压–VDS（V）总栅极电荷–Qg（nC）图7.击穿电压