m5576士兰微sd4871

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1、概述：M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。特点：应用：■软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力■手机充电器,上

2、网本充电器■跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗■笔记本适配器■抖频功能，改善系统EMI性能■机顶盒电源■消除音频噪声■各种开放式开关电源■65KHz的开关频率■完善的保护功能ØVDD欠压保护Ø逐周的过流阈值设置，恒定输出功率Ø自动恢复式过载保护（OLP）Ø自动恢复式过温保护（OTP）Ø锁定型的VDD过压保护（OVP）Ø锁定型的过温保护（OTP）Ø过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调■采用SOT-23-6和DIP-8封装产品规格分类：产品名称开关频率封装形式丝印打字包装形式M5576SR65KHzSOT-23-6编带3K/盘M5576P

3、R65KHzDIP-8管装50个/管2000个/盒典型应用：图1M5576SR应用图SOT-23-6图2M5576PR应用图DIP-8管脚排列图：M5576SRM5576PR图3DIP-8(顶部视图)图4SOT-23-6(顶部视图)管脚描述：管脚号管脚名称管脚描述SOT-23-6DIP-861DRV输出PWM信号驱动外部功率MOSFET52VDD芯片供电3、6NC悬空44SEN电流检测35RT多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护27COMP芯片内部电路的环路补偿18GND接地芯片使用时

4、极限参数：项目参数值单位最小值最大值VDD直流供电电压30VVDD齐纳钳位电压10VVDD直流钳位电流VDD_Clamp+0.1mACOMP输入电压-0.37VSEN输入电压-0.37VOTP输入电压-0.37V最小/最大工作结温-20150℃最小/最大贮存温度-55165℃最高温度（焊接，10秒）260℃注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。芯片内部框图：图5M5576内部框图电气参数(Ta=

5、25oC)：项目参数测试条件最小典型最大单位供电电压（VDD）I_StartupVDD启动电流VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流520uAI_VDD_Ops工作电流VCOMP=3V1.42.5mAVDD_OFF欠压锁存开启8910VVDD_ON欠压锁存结束（恢复）14.515.516.5VVpull_up上拉PMOS启动13VVdd_ClampIVDD=10mA303234VOVP(ON)过压保护电压SEN=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭262830V反馈输入部分（COMPPin）VCOMP_Open

6、VCOMP开环电压45V最大占空比Maxdutycycle@VDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V758085%Vref_green进入绿色模式的阈值1.4VVref_burst_H进入跳周期模式的阈值0.68VVref_burst_L离开跳周期模式的阈值0.58VICOMP_ShortCOMP引脚短路电流测量COMP短路到地的电流0.4mAVTH_PL过载时的COMP电压3.6VTD_PL过载延迟时间808896mSZCOMP_IN输入阻抗16KΩ电流检测输入（SENpin）SST软启动时间4msT_blanking前沿消隐时间2

7、20nsTD_OC过载延迟时间从过流产生到DRV引脚关闭120nsVTH_OC内部电流限制阈值电压与零占空比0.75VVocp_clampingSEN电压嵌位0.9V振荡器Fosc振荡频率VDD=14V,COMP=3V,SEN=0.3V606570KHZΔf_OSC频率抖动+/-4%f_shuffling抖频32HzF_Burst跳周期模式频率22KHz栅驱动VOL输出低电平VDD=14V，IO=6mA1VVOH输出高电平VDD=14V，IO=5mA6VV_Clamping输出钳位电压12VT_r输出上升时间1V~12V@CL=1000pF17

8、5nsT_f输出下降时间12V~1V@CL=1000pF85ns过温保护IOTPOTP引脚输出电流95100105μAVOTPOTP阈值电压0.951