士兰微svf4n60规格书(最新版)

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1、SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书4A、600VN沟道增强型场效应管描述SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ/MJGN沟道增强型高压功率TMMOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V∗低栅极电荷量∗低反向传输电容∗开关速度快

2、∗提升了dv/dt能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SVF4N60TTO-220-3LSVF4N60T无铅料管SVF4N60FTO-220F-3LSVF4N60F无铅料管SVF4N60FGTO-220F-3LSVF4N60FG无卤料管SVF4N60KTO-262-3LSVF4N60K无铅料管SVF4N60DTO-252-2LSVF4N60D无铅料管SVF4N60DTRTO-252-2LSVF4N60D无铅编带SVF4N60MJTO-251J-3LSVF4N60MJ无铅料管SVF4N60MJGTO-251J-3LSV

3、F4N60MJG无卤料管SVF4N60MTO-251D-3LSVF4N60M无铅料管士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围参数名称符号SVF4NSVF4NSVF4NSVF4NSVF4N单位60T60F(G)60D/M60MJ(G)60K漏源电压VDS600V栅源电压VGS±30VTC=25°C4.0漏极电流IDATC=100°C2.5漏极脉冲电流IDM16A耗散功率（TC=25°C）10033778695WPD-大于25°C每摄氏度减少0.80.260.620.

4、690.76W/°C单脉冲雪崩能量（注1）EAS217mJ工作结温范围TJ-55～+150°C贮存温度范围Tstg-55～+150°C热阻特性参数范围参数名称符号单位SVF4N60TSVF4N60F(G)SVF4N60D/MSVF4N60MJ(G)SVF4N60K芯片对管壳热阻RθJC1.253.851.611.451.32°C/W芯片对环境的热阻RθJA62.512011011062.5°C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250µA60

5、0----V漏源漏电流IDSSVDS=600V，VGS=0V----1.0µA栅源漏电流IGSSVGS=±30V，VDS=0V----±100nA栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=2A--2.02.4Ω输入电容Ciss--449.7--VDS=25V，VGS=0V，输出电容Coss--57--pFf=1.0MHZ反向传输电容Crss--2.0--开启延迟时间td(on)VDD=300V，ID=4A，--16.8--开启上升时间trRG=25Ω--26.

6、2--ns关断延迟时间td(off)--37.4--关断下降时间tf(注2，3)--20.2--栅极电荷量QgVDS=480V，ID=4A，--8.16--栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--2.63--nC栅极-漏极电荷量Qgd(注2，3)--3.01--士兰微电子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书源-漏二极管特性参数参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的----4.0A源极脉冲电流ISM反偏P-N结----16源-漏二极管压降VSDIS=4.0A，VGS=0V---

7、-1.4V反向恢复时间TrrIS=4.0A，VGS=0V，--441.53--ns反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µs(注2)--1.98--µC注：1.L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3.基本上不受工作温度的影响。典型特性曲线图1.输出特性图2.传输特性10100变量VGS=4.5V-55°CVGS=5V25°CVGS=5.5V150°C))VGS=6V(A(A10DVGS=7VDIIVGS=8V––1VGS=10VV

8、GS=15V1漏极电流漏极电流注：注：1.250µS脉冲测试1.250µS脉冲测试2.VDS=50V2.TC=25°C0.10.10.1110100012345678910漏源电压–VDS(V)栅源电压–V