典型例题及其讲解.doc

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1、一、典型例题及其讲解例8.1 可编程逻辑阵列(PLA)实现的组合逻辑电路如图8.1所示。(1)分析电路的功能,写出F1~F3的表达式;(2)若已知A1A0,B1B0为两个两位的二进制数,试证明电路实现的是二位二进制全加运算。(3)说明电路矩阵的容量,若改用PROM实现此电路,则矩阵的容量又应为多?解:PLA和PROM的结构大体相同,不同的PLA无论是“与阵列”还是“或阵列”均为编程结构,而PROM的“与阵列”为固定的,不可编程的结构,只有“或阵列”是可编程的。因此,在实现同一函数时,PLA通常要比PROM所用的矩阵容量少。图8.1 例8.1的逻辑电路图1、根据图8.1中PLA“与”

2、,“或”阵列输入,输出的关系,可直接得到输出函数的表达式,即:2、若A1A0,B1B0为两位二进制的加数,则满足运算规则其中A1B1A0B0+C1S1S0                            将写成“与”“或”式有:  (8.1)               故电路实现的是两位二进制全加器3、由图8.1电路可知,矩阵的容量为8×11+3×11=121(存储单元)若用PROM实现,则“与阵列”应为全译码阵列,这时矩阵容量应为:8×16+3×16=176(存储单元)例8.2用ROM设计组合逻辑电路,已知函数F1~F4为:试用PROM实现上述函数,并画出相应的电路解:用

3、PROM实现逻辑函数,一般的步骤为:(1)确定输入变量数和输出端个数;(2)将函数化为最小项元和的形式;(3)确定各存储单元的内容;(4)画出相应的电路。由本题给定的条件,函数写成最小项之和的形式为:F1=∑m(0.1.2.3.7.8.9.10.13.15)F2=∑m(0.2.4.6.9.14)F3=∑m(3.4.5.7.9.13.14.15)F4=∑m(0.1.2.3.4.6.7.8.9.10.11.12.13.14)矩阵的容量为:8×16+4×16=192(存储单元)根据PROM的“与阵列”固定,“或阵列”可编程的特点,可知与阵列为全译码阵列,或阵列由上述F1~F4的函数式决定

4、。用PROM实现的函数F1~F4的电路见图8.2所示。图6.2例6.2电路图例8.3 试用PLA电路设计一个8421BCD码同步+进制计数器,画出PLA阵列图。解:8421BCD码+进制加法计数器的状态,转移关系如表8.2所示图8.2 例8.2电路图表8.2 8421BCD码加法计数器状态转换表CP若选用主从型JK触发器组成电路,则各触发器的状态方程如下:                                (8.2)各触发器的激励函数及电路的输出函数分别为:图8.3 例8.3的PLA阵列逻辑图                    (8.3)              

5、                               输出方程:                                (8.4)                                           依照题意分析画出所设计电路的PLA阵列逻辑图如图8.3所示,例8.44位移位寄存器电路如图8.4所示。试用PLA和D触发器实现这一电路的逻辑功能,要求画出PLA的阵列图。解:由图8.4所示电路可得出:图8.4 例8.4的电路图                            (8.5)当M=0时,并行输入数据ABCD当M=1时,左移位操作.现在以并

6、行输入数据信号A、B、C、D,寄存器功能选择信号M和D触发器的状态信号Q1n,Q2n,Q3n,Q4n作为PLA的输入构成“与阵列”以各触发器的激励函数构成或阵列并作为PLA的输出,再与触发器连接,则可得到与原电路具有相同功能的PLA阵列图,如图8.5所示。例8.5 试将4片三态输出的32字×4位ROM扩展或64字×8位ROM。解:电路如图8.6所示。具体实现步骤如下:图8.5 例8.4的PLA阵列逻辑图图8.6 例8.5电路图(1)位扩展。因为给定的ROM每片只有4位,故需要2片ROM并联以满足8位的需要,如图8.6阴影部分所示,图中1#片和2#片的地址线分别并接在一起,以便用同一

7、地址单元分别存储数据的低4位D0~D3(1#片)和高4位D4~D7(2#片)。(2)字扩展。两片并联后位数已经满足题目要求,但字数只有32字。为满足64字的需要,务必再加上一组与1#片和2#片功能相同的并联组合,如图中所示的3#片和4#片,它的地址线也分别并联在一起。片选端由最高位地址信号A5控制(如图8.6所示),当A5=0时,1#片和2#片的=0,则1#片2#片组合工作,但3#片、4#片组合=1,3#片4#片不工作。同理,当A5=1时,1#片2#片组合不工作,3#

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