DES制程培训教材.ppt

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1、DES制程简介ＤＥＳ简介一：ＤＥＳ原理简介二：品质管控三：生产注意事项DES定义：本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产，是线路形成的关键工序。Developping：显影，用化学的方法去掉未曝光的干膜，露出待蚀刻的铜。Etching：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段露出来的铜。Stripping：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干膜，露出所需要的线路。DES定义：本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产，是线路形成的关键工序。Developping：显影，用化学的方法去掉未曝光的干膜，露出待蚀刻的铜。Etching：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段露出来的铜。S

2、tripping：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干膜，露出所需要的线路。1.DES制程的目的先将没有被UV光照射到的干膜洗掉,再将露出的铜蚀刻掉,最后将被UV光照到的干膜洗掉,从面制作出需要制作的线路.2.流程简介去膜显影水洗蚀刻水洗水洗酸洗水洗烘干送AOIDES线显影段的原理基板在作线路前可以在其上下两面压上干膜,然后用紫外光对要制作的线路部分进行照射,干膜中的单体成分在受到紫外光照射时会产生聚合反应,形成交联体,没有受到光照的部分仍为单体.没有聚合的单体在碰到碳酸钠溶液时可以被溶解成溶于水的钠盐.DES显影段用到的药液的成份就是1%左右的碳酸钠,液温3

3、0—40℃。显影操作一般在显影机中进行，控制好显影液的温度，传送速度，喷淋压力等显影参数，能够得到好的显影效果。DES线显影段的原理正确的显影时间通过显出点(没有曝光的干膜从印制板上被显掉之点)来确定，显出点必须保持在显影段总长度的一个恒定百分比上。如果显出点离显影段出口太近，未聚合的抗蚀膜得不到充分的清洁显影，抗蚀剂的残余可能留在板面上。如果显出点离显影段的入口太近，已聚合的于膜由于与显影液过长时间的接触，可能被浸蚀而变得发毛，失去光泽。通常显出点控制在显影段总长度的40％一60％之内。使用显影机由于溶液不断地喷淋搅动，会出现大量泡沫，因此必须加入适量

4、的消泡剂。如正丁醇、食品及医药用的消泡剂、印制板专用消泡剂AF一3等DES线蚀刻段的原理蚀刻段的主要反应为:CuCl2+Cu2CuCl利用氯化铜的氧化性将单质铜氧化成氯化亚铜.再用HCl,H2O2再生成CuCl22CuCl+2H2O2+HCl2CuCl2+2H20由于干膜光阻本身的平均厚度在1.0~1.5mil之间，对水平输送式蚀刻线上之板面而言，会造成细密线区的“水沟效应”（PuddleEffect），使得所喷射新鲜蚀刻液的强力水点，打不到待蚀的铜面，而且连空气中的氧气也被阻隔。此"氧气"的角色是协同将金属铜（Cu0）氧化成可水溶的铜离子（Cu++），

5、是一种不可或缺的氧化剂。氧化力减弱蚀刻不足将造成线底两侧之残足，成为细线工程的一大隐忧。至于另一种半氧化的Cu+则很难水溶，常附着在线路腰部流速较低的侧壁上，可当成护岸剂BankingAgent），而使侧蚀（Undercut）得以减低。Cu0蚀刻液────→O2Cu+……………………………难水溶的中间物，可当成护岸剂DES线蚀刻段的原理Cu0蚀刻液───→O2Cu+蚀刻液────→O2Cu++……….成为可水溶的铜离子为了降低水沟效应减少侧蚀与残足起见，5mil以下的细线应尽可能将待蚀刻的铜层逼薄，同时也还应将抗蚀阻剂逼薄。如此一来除可避免积水而方

6、便氧气进入外，还可加速新鲜药液更换的频率，有效的排除废铜液，逼薄Z方向待蚀铜面上扩散层（Diffusionlayer）的厚度，以增快正蚀减缓侧蚀，使细线密线的品质更好DES线蚀刻段的原理已聚合的干膜能够溶于强碱.目前DES线用的是2.5%左右的KOH.(在去膜段后为去除表面残留的KOH需经酸洗制程.)DES线去膜段的原理顯影蝕刻蝕刻后板去膜去膜后板蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本蚀刻板面质量限度样本1.目前DES线能做出的线路的最小线宽为2mil,(即50微米,蚀刻

7、间距最小2mil)包括干膜解析能力,蚀刻铜厚管控,线路补偿搭配)2.干膜评估干膜分辨率评估为重点.3.设备能力检核:UNIFORMITY(蚀刻均匀性)DES制程能力1.试验板2/2OZ20〞×24〞，板厚6mil(含)以上。2.用MRX-4000先量测一片基板两面各120点之铜厚值，并记录于表E内。3.蚀刻：蚀铜厚平均值需控制在1.0~1.3mil。4.蚀刻试验板三片，已量测板放中间。5.蚀刻后取中间一片先至前处理酸洗，再量测Data。6.量测方法：于板边留3cm的边，长边取12点，短边取10点，共120点设备能力检核aData记录：1.需分别记

8、录Topside、Bottomside每一点量测值2.Topside、Botto