TEM样品制备2.ppt

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1、TEM样品制备要想得到好的TEM结果，首先要制备出好的薄膜样品，TEM样品制备在电子显微学研究中起着非常重要的作用。传统的常规制备方法很多，例如：化学减薄；电解双喷；解理；超薄切片；粉碎研磨；聚焦离子束；机械减薄；离子减薄，这些方法都能制备出较好的薄膜样品。但是样品制备的发展方向应该是制备时间更短，电子穿透面积更大，薄区的厚度更薄，高度局域减薄。TEM样品类型1.粉末2.半导体材料3.金属材料粉末样品制备1.粉碎研磨研磨后的粉末放在无水乙醇溶液里，用超声波震荡均匀后滴在微栅上，干燥后进行透射电镜观

2、察。2.树脂包埋理想的包埋剂应具有：高强度，高温稳定性，与多种溶剂和化学药品不起反应，如丙酮等，常用的几种包埋剂：G-1，G-2，M-Bond600/610，EP8123.超薄切片后氩离子轰击平面样品制备500μm3mm‹5μm2.5mm1.切割70-100μm2.平面磨3.钉薄(凹坑)4.离子减薄切割样品方法很多，可以用超声切割，冲压机冲出获得Ф3mm圆片，如果你没有上面这两种工具，可以用其它任何方法，把样品切成小块，无论是长方形还是方形，只要对角线不超过3mm，长边2.5mm即可。平面磨手工平

3、磨时，应注意样品表面与制备表面的相对速度。采用图示的手法可以避免过早出现样品边缘倾角。更换一次砂纸用水彻底清洗样品磨下去的厚度是原始厚度的一半时抛光1/2X抛光是样品制备的最后阶段，它的目的仅限于将磨痕去除，坐落在抛光物上的磨料颗粒在抛光过程中能够上下起落，使其作用在试样表面的应力不足以产生磨痕，并提高了样品表面的光反射性磨料可以上下起伏抛光垫示意图抛光后用清水洗干净，再用无水乙醇棉球擦干，就可以在加热炉上翻面。加热炉最终厚度控制在70-80μm以内，si材料可磨到50μm以下。70-80μm钉薄轮

4、的选择钉薄仪所配的轮子有不锈钢轮；磷铜轮；橡胶轮；毛毡轮等，根据材料的不同选择适合的钉薄轮。钉薄轮：用于钉薄抛光轮：用于最后阶段钉薄轮抛光轮不锈钢轮铜轮橡胶轮平轮截面样品制备工艺图线锯、片锯切切线锯、片锯2.5mm~2mm0.5mm生长面衬底切好的截面样品重复平面样品的制备工艺最后用氩离子减薄胶衬底生长面离子减薄原理在电场作用下氩气被电离成带Ar+的氩离子，带着一定能量的氩离子从阳极飞向阴极，通过阴极孔，打在接地的样品表面，使样品表面溅射，这就是氩离子轰击的基本原理。