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1、电子电路与系统基础习题课第十二讲1、第十周作业讲解2、晶体管放大器实验电路说明李国林清华大学电子工程系习题课第十二讲大纲•第十周作业讲解–BJT分段折线法分析•晶体管放大器实验电路说明李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季2作业1NPN和PNP集电极发射极collectorCemitterEBBQQ+NP基极基极ECbasebasePiCNCEE+vNPEBiBBvCEBvECvBEiB发射极集电极EECemittercollectoriC列表对比:(1)结构,(2)电路符号,(3)二端口定义(4)有源区元件约束,(5)分段
2、线性电路模型李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季3NPNPNP结构集电极发射极collectoremitter+NP基极基极电路basebase符号PCNE+BBNQPQEC发射极集电极二端iCemittercollector口定CEE义vEBiBBvCEBvECvBEiBEECiC有源vBEvEB区元iAJevT1iAJevT1BJBS0,nBJBS0,p件约vv束BEvEBviAJevT11CEiAJevT11
3、ECCnJBS0,nVCpJBS0,pV李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系A,n2013年春季A,p4二端口定义截止区有源区饱和区NPNiCiC=0iBiCiBiCCBCBC电路IB0iBiB=0符号BvCEvCErcevBEvBE0.7VIC0=nIB0vBE=0.7VvCE=0.2VEEEEEE端口BE结反偏,BC结BE结正偏,BC结反偏BE结正偏,BC结描述vBE,iB反偏正偏v0.7V,i0vBE0.7V,iB0vBE0.7V,iB0v,iBEBCECv
4、v,iivv,iiv0,i0CECE,satCnBCECE,satCnBCECPNPEEEEEEEE电路vEBvEBIB0符号BvECBvECrceiBiB0.7VvEB=0.7VvEC=0.2VIC0=pIB0CCBCBCiCiBiCiBiC端口EB结反偏,CB结EB结正偏,CB结反偏EB结正偏,CB结描述vEB,iB反偏正偏v,ivEB0.7V,iB0vEB0.7V,iB0vEB0.7V,iB0ECCvEC0,iC0vECvEC,sat,iCpiBvECvEC,sat,iCpiB李国
5、林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季5作业2:分立PNP-BJT的直流偏置VCC=+12V=150-400VCC=+12VVCC=+12V50kRERB22.0kTTTRBP150kRBRCRB14.7k1.8MRCRC03.6M6.8k6.8k一般偏置并联负反馈偏置串联负反馈偏置分压偏置分析上述三个电路的BJT的直流工作点:I=?V=?CEC(1)确认工作在恒流区;(2)说明负反馈可以稳定直流工作点李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季6VCC0.7120.7I3.14ABR3
6、.6MBVCC=+12VII假设在恒流区=150-400CBT150~4003.14AIBIC471A~1.256mARBRC3.6M6.8kVVIRECCCCC12V471A~1.256mA6.8k一般偏置123.20~8.548.80V~3.46V0.2V确认在恒流区但工作点不确定这种偏置仅做原理性分析使用对灵敏度过高实际电路大多不采用这种结构李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季7VRIR1IVEBBPBCBCCVV120.7CCEBIB
7、R1R1.8M151~4016.8kBPCVCC=+12V4.00A~2.50A=150-400假设在恒流区TICIBIB150~4004.00~2.50AIIRBPCB0.600~0.998mA1.8MRC6.8kVV1IRECCCBC并联负反馈偏置12V0.604~1.001mA6.8k124.11~6.81确认在恒流区工作点确定性提高7.89V~5.19V0.2V对灵敏度仍较高李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季8串联负反馈偏
8、置分压偏置RB1150VV129VBBCCVCC=+12VRR15050B1B250kRERB22.0kRBRB1
9、
10、RB2150k
11、
12、50k